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wachstumsverfahren

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kohlenstoff-nanorÖhren-wachstumsverfahren

Englisch

carbon nanotube growth method

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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Deutsch

wachstumsverfahren für einen galliumnitridkristall

Englisch

method of growing gallium nitride crystal

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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Deutsch

datierungsverfahren für wachstumsverfahren von halbleitern

Englisch

doping procedure for semiconductor growth processes

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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Deutsch

epitaxiales wachstumsverfahren aus der gasphase.

Englisch

vapour-phase epitaxial growth process.

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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Deutsch

dünner nitrid-halbleiterfilm und dessen wachstumsverfahren

Englisch

nitride semiconductor thin film and method for growing the same

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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Deutsch

suszeptor fÜr das epitaxiale wachstum und epitaxial-wachstumsverfahren

Englisch

susceptor for epitaxial growth and epitaxial growth method

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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Deutsch

silizium-wachstumsverfahren bei niedriger temperatur und hergestellte vorrichtungen.

Englisch

method for low temperature growth of epitaxial silicon and devices produced thereby.

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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Deutsch

selektives wachstumsverfahren für halbleiter auf basis einer nitridverbindung der gruppe iii

Englisch

selective growth process for group iii-nitride-based semiconductors

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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installation und verfahren zum transportieren von wachstumseinheiten und zum einstellen ihrer abstÄnde sowie kontinuierliches wachstumsverfahren mit verwendung dieser installation.

Englisch

installation and method for the transport of growth units and the adjustment of their spacing and continuous cultivation method utilizing the same.

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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wachstumsverfahren für einen sic-einkristall gemäß anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der winkel α gleich oder weniger als 5° beträgt.

Englisch

the method for growing an sic single crystal according to claim 1, characterized in that said off angle α is equal to or less than 5°.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-05
Nutzungshäufigkeit: 2
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leuchtdiode, integrierte leuchtdiode und deren herstellungsverfahren, wachstumsverfahren für einen nitrid-basierten iii-v halbleiter, lichtquelleneinheit, rücklichtleuchtdiode, lichtemittierende diodenanzeige und ein elektronisches gerät

Englisch

light-emitting diode, integrated light-emitting diode and method for their production, method for growing a nitride-based iii-v group compound semiconductor, light source cell unit, light emitting diode backlight, light-emitting diode display and electronic device

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
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