Versucht aus den Beispielen menschlicher Übersetzungen das Übersetzen zu lernen.
von: Maschinelle Übersetzung
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kohlenstoff-nanorÖhren-wachstumsverfahren
carbon nanotube growth method
Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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wachstumsverfahren für einen galliumnitridkristall
method of growing gallium nitride crystal
Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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datierungsverfahren für wachstumsverfahren von halbleitern
doping procedure for semiconductor growth processes
Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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epitaxiales wachstumsverfahren aus der gasphase.
vapour-phase epitaxial growth process.
Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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dünner nitrid-halbleiterfilm und dessen wachstumsverfahren
nitride semiconductor thin film and method for growing the same
Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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suszeptor fÜr das epitaxiale wachstum und epitaxial-wachstumsverfahren
susceptor for epitaxial growth and epitaxial growth method
Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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silizium-wachstumsverfahren bei niedriger temperatur und hergestellte vorrichtungen.
method for low temperature growth of epitaxial silicon and devices produced thereby.
Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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selektives wachstumsverfahren für halbleiter auf basis einer nitridverbindung der gruppe iii
selective growth process for group iii-nitride-based semiconductors
Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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installation und verfahren zum transportieren von wachstumseinheiten und zum einstellen ihrer abstÄnde sowie kontinuierliches wachstumsverfahren mit verwendung dieser installation.
installation and method for the transport of growth units and the adjustment of their spacing and continuous cultivation method utilizing the same.
Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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wachstumsverfahren für einen sic-einkristall gemäß anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der winkel α gleich oder weniger als 5° beträgt.
the method for growing an sic single crystal according to claim 1, characterized in that said off angle α is equal to or less than 5°.
Letzte Aktualisierung: 2014-12-05
Nutzungshäufigkeit: 2
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leuchtdiode, integrierte leuchtdiode und deren herstellungsverfahren, wachstumsverfahren für einen nitrid-basierten iii-v halbleiter, lichtquelleneinheit, rücklichtleuchtdiode, lichtemittierende diodenanzeige und ein elektronisches gerät
light-emitting diode, integrated light-emitting diode and method for their production, method for growing a nitride-based iii-v group compound semiconductor, light source cell unit, light emitting diode backlight, light-emitting diode display and electronic device
Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 2
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