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a method for forming a thin film of a semiconductor as claimed in claim 2, characterized in that said group iii metal is gallium, and said organometal starting material is a gallium organometal starting material selected from the group consisting of triethylgallium, trimethylgallium, triisobutylgallium and diethylcyclopentadienylgallium.
procédé pour former une couche mince d'un semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le métal du groupe iii est l'indium et le composé organométallique de départ est le triméthylindium.
Last Update: 2014-12-04
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a method for forming a thin film of a semiconductor as claimed in claim 2, characterized in that said group iii metal is indium, and said organometal starting material is trimethylindium. a method for forming a thin film of a semiconductor as claimed in claim 2, characterized in that said group iii metal includes gallium and indium, and said organometal starting material is trimethylindium and a gallium organometal starting material selected from the group consisting of triethylgallium, trimethylgallium, triisobutylgallium and diethylcyclopentadienylgallium.
procédé pour former une couche mince d'un semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le métal du groupe iii contient du gallium et de l'indium, et en ce que le composé organométallique de départ est le triméthylindium et le composé organométallique du gallium de départ est sélectionné dans le groupe constitué du triéthylgallium, du triméthylgallium, du triisobutylgallium et du diéthylcyclopentadiénylgallium.
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