Results for un cane translation from French to English

procédé de préparation d'un lingot de silicium à cristal unique (i ; i') ayant un cône de germe (sc ; sc'), un cane terminal (ec ; ec') et une partie de diamètre constant (cd ; cd') entre le cône de germe (sc ; sc') et le cône terminal (ec ; ec'), le lingot (i ; i') étant grossi dans un dispositif d'étirage de cristal (10 ; 110 ; 210) à partir de silicium fondu (m) selon la méthode de czochralski, le dispositif d'étirage de cristal (10 ; 110 ; 210) comprenant une chambre de croissance (12 ; 112 ; 212) et une chambre d'étirage supérieure (16 ; 116 ; 216), le procédé comprenant : la descente d'un germe de cristal pour le mettre en contact avec le silicium fondu (m) situé dans la chambre de croissance (12 ; 112 ; 212) du dispositif d'étirage (10 ; 110 ; 210) ; l'enlèvement du germe de cristal du produit fondu (m) de manière à provoquer la congélation du produit fondu (m) pour former le lingot de silicium à cristal unique (i ; i') ; l'étirage du lingot complètement forme (i ; i') dans la chambre d'étirage (16 ; 116 ; 216) avant le refroidissement de la partie totale de diamètre constant (cd ; cd') du lingot (i ; i') sous la température t a , à laquelle se produit l'agglomération de défauts de points intrinsèques dans le lingot (i ; i') ; l'isolation de la chambre d'étirage (16 ; 116 ; 216) de la chambre de croissance (12; 112; 212) et le maintien de la température de la chambre d'étirage (16; 116; 216) au-dessus de la température t a à laquelle se produit l'agglomération de défauts de points intrinsèques dans le lingot (i; i'), de manière qu'au moins une partie du lingot (i; i') soit sensiblement exempte de défauts de points intrinsèques agglomérés.
a process of producing a single crystal silicon ingot (i; i') having a seed-cone (sc; sc'), an end-cone (ec; ec') and a constant diameter portion (cd; cd') between the seed-cone (sc; sc') and end-cone (ec; ec'), the ingot (i; i') being grown in a crystal puller (10; 110; 210) from a silicon melt (m) in accordance with the czochralski method, the crystal puller (10; 110; 210) including a lower growth chamber (12; 112; 212) and an upper pulling chamber (16; 116; 216), the process comprising: lowering a seed crystal into contact with the silicon melt (m) located in the growth chamber (12; 112; 212) of the crystal puller (10; 110; 210); withdrawing the seed crystal from the melt (m) so as to cause silicon from the melt (m) to freeze for forming the single crystal silicon ingot (i; i'); pulling the fully formed ingot (i; i') into the pulling chamber (16; 116; 216) prior to cooling the entire constant diameter portion (cd; cd') of the ingot (i; i') below a temperature, t a , at which agglomeration of intrinsic point defects in the ingot (i; i') occurs; isolating the pulling chamber (16; 116; 216) from the growth chamber (12; 112; 212); and maintaining the temperature in the pulling chamber (16; 116; 216) above a temperature, t a , at which agglomeration of intrinsic point defects in the ingot (i; i') occurs, such that at least a portion of the ingot (i; i') is substantially free of agglomerated intrinsic point defects.