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mikroelektronische feldeffekteinrichtung mit der fÄhigkeit zur bildung eines oder mehrerer transistorkanÄle
dispositif microelectronique a effet de champ apte a former un ou plusieurs canaux de transistors

verfahren nach anspruch 6, bei dem das leitende material (550) eine floating-gate-elektrode in der feldeffekteinrichtung bildet.
procédé selon la revendication 6 dans lequel ledit matériau conducteur (550) définit une électrode de grille flottante dans le dispositif à effet de champ.

verfahren nach anspruch 5, bei dem das leitende material (154, 550) eine gate-elektrode in einer feldeffekteinrichtung (150) bildet.
procédé selon la revendication 5 dans lequel ledit matériau conducteur (154, 550)définit une électrode de grille dans un dispositif à effet de champ (150).

aufbau bzw. struktur nach irgendeinem der ansprüche 11 bis 13, der bzw. die ferner aufweist: eine zweite isolierende schicht (38), die über der kontaktschicht (35, 36) und der ersten isolierenden schicht (34) angeordnet ist, die eine Öffnung hat, die einen abschnitt der leitenden schicht (35, 36) freigibt; der bereich (40) der ersten polysilizium-schicht vom p-typ weist eine zweite gate-elektrode einer zweiten feldeffekteinrichtung mit p-kanal auf, die aus einer zweiten polysilizium-schicht, die p-typ-dotiert ist, ausgebildet ist, die über der kontaktschicht (35, 36) und einem abschnitt der zweiten isolierenden schicht (38) angeordnet ist.
structure selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, comprenant en outre : une seconde couche isolante (38) disposée sur la couche de contact (35, 36) et la première couche isolante (34), ayant une ouverture exposant une partie de la couche de contact (35, 36) ; la région (40) de ladite première couche de polysilicium de type p comprenant une seconde électrode de grille d'un second dispositif à effet de champ à canal p formé à partir d'une seconde couche de polysilicium de type p dopée, disposée sur la couche de contact (35, 36) et une partie de la seconde couche isolante (38).