Results for speicherbauteil translation from German to French

halbleiter-speicherbauteil
dispositif à mémoire semi-conducteur

speicherbauteil einer rechnereinheit
composant de mémoire d'une unité de calcul

verbindungsschema für halbleiter-speicherbauteil
schéma d' interconnexion pour dispositif de mémoire semi-conducteur

halbleiter-speicherbauteil mit floating body
dispositif semi-conducteur à corps flottant

halbleiter-speicherbauteil mit ferroelektrischem dünnfilm
dispositif de mémoire semi-conducteur avec couche mince ferroélectrique

elektronisches speicherbauteil mit schutz gegen lichtangriff
composant electronique de memoire dote d'une protection contre les effets nocifs de la lumiere

halbleiter-speicherbauteil und verfahren zur herstellung desselben
dispositif de mémoire semi-conducteur et son procédé de manufacture

magnetoresistives speicherbauteil und methode zum schreiben und auslesen desselben
ensembles et dispositifs de memoire magnetoresistifs, et procedes de stockage et de recuperation d'informations

dynamisches speicherbauteil mit wahlfreiem zugriff und verfahren zu seiner herstellung
dispositif de mémoire à accès aléatoire et procédé de fabrication

halbleiter-speicherbauteil mit mehreren speicherchips in einer gemeinsamen umhÜllung
composant de memorisation a semi-condusteur comportant plusieurs puces memoires dans une enveloppe commune

elektrisch löschbares nicht-flüchtiges speicherbauteil und verfahren zur herstellung desselben
dispositif à mémoire non-volatile électriquement effaçable et procédé de réalisation d'un tel dispositif

system und verfahren zum speichern von betriebsdaten einer speichervorrichtung, in einem ausnehmbaren nichtflüchtigen speicherbauteil
système et procédé de stockage des données operationelles d'un dispositif de stockage dans une mémoire non-volatile

speicherbauteil nach anspruch 6, gekennzeichnet durch eine schnittstelleneinrichtung zur emulierung einer steuerung und schnittstelle für einen magnetplattenantrieb.
dispositif de mémoire selon la revendication 6, caractérisé par : un moyen formant interface pour émuler un régisseur de lecteur de disque magnétique et une interface.

halbleiter-speicherbauteil nach anspruch 16, bei dem die ferroelektrische tunnelschicht (16) aus pzt besteht.
dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 16, dans lequel ladite couche diélectrique de tunnelage (16) est formée en pzt.

verfahren nach anspruch 9, wobei die Übertragung der serie von instruktionen die Übertragung einer serie von instruktionen zu einem flüchtigen speicherbauteil der bussteuerung umfasst.
procédé selon la revendication 9, dans lequel le transfert de la série d'instructions comporte le transfert d'une série d'instructions vers un dispositif de mémoire non-volatile du contrôleur de bus.

halbleiter-speicherbauteil nach anspruch 1, bei dem die spannungsbegrenzungseinrichtung einen mos-transistor (32) aufweist.
dispositif de mémoire à semiconducteurs selon la revendication 1, dans lequel ledit moyen de limitation de tension comprend un transistor mos (32).

halbleiter-speicherbauteil nach einem der vorstehenden ansprüche, bei dem die leseverstärker (6a, 6b) leseverstärker vom differenztyp sind.
dispositif de mémoire à semi-conducteurs selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdits amplificateurs de détection (6a, 6b) sont des amplificateurs de détection de type différentiel.

system nach anspruch 1, wobei der hostcomputer fähig ist, die serie von instruktionen zu dem speicherbauteil der bussteuerung zu übertragen, so dass die bussteuerung mit einem befehlsplan vorgeladen ist.
système selon la revendication 1, dans lequel ledit ordinateur hôte est capable de transférer la série d'instructions au dispositif de mémoire dudit contrôleur de bus de sorte que le contrôleur de bus est préchargé avec un programme de commandes.

halbleiter-speicherbauteil nach anspruch 16, bei dem die ferroelektrische tunnelschicht (16) mit einer dicke von 7 - 15 nm ausgebildet ist.
dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 16, dans lequel ladite couche diélectrique de tunnelage (16) est formée d'une épaisseur de 7 à 15 nm.

halbleiter-speicherbauteil nach anspruch 1, ferner mit einem mit dem kondensator (200) verbundenen mos-transistor (100).
dispositif à mémoire semi-conducteur selon la revendication 1, comprenant en outre un transistor mos (100) relié au condensateur (200).