Arménský dram

Dram

DRAM definované v prvním pododstavci mají tyto formy:

Pamięci DRAM zdefiniowane w poprzednim akapicie mają następujące formy:

DRAM v '000 Mbitů -16593400 -28961100 -45873600 -68967600 -

Pamięci DRAM w tys. Mbit -16593400 -28961100 -45873600 -68967600 -

-zamontované DRAM kódů KN 85422111, 85422113, 85422115 a 85422117,

-montowane pamięci DRAM objęte kodami CN 85422111, 85422113, 85422115 oraz 85422117,

2 -Multikombinované formy DRAM, které pocházejí z jiných zemí než z Korejské republiky, obsahují DRAM čipy nebo zamontované DRAM pocházející z Korejské republiky a vyrobené všemi jinými společnostmi než společností Samsung a představující méně než 10% čisté ceny franko hranice Společenství multikombinované formy DRAM -D011 -0% -

2 -Kombinowane formy pamięci DRAM, pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM i/lub montowane pamięci DRAM, pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie firmy inne niż Samsung, których wartość jest niższa niż 10% ceny kombinowanych form pamięci DRAM na granicy Wspólnoty -D011 -0% -

7 -Multikombinované formy DRAM, které pocházejí z jiných zemí než z Korejské republiky, obsahují DRAM čipy nebo zamontované DRAM pocházející z Korejské republiky a jsou vyrobeny všemi jinými společnostmi než společností Samsung a představují alespoň 50% čisté ceny franko hranice Společenství multikombinované formy DRAM. -D016 -

7 -Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość wynosi lub przekracza 50% ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM -D016 -

7 -Multikombinované formy DRAM, které pocházejí z jiných zemí než z Korejské republiky, obsahují DRAM čipy nebo zamontované DRAM pocházející z Korejské republiky a vyrobené všemi jinými společnostmi než společností Samsung a představující nejméně 50% čisté ceny franko hranice Společenství multikombinované formy DRAM -D016 -16,4%" -

7 -Kombinowane formy pamięci DRAM, pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM i/lub montowane pamięci DRAM, pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie firmy inne niż Samsung, których wartość stanowi 50% lub więcej ceny kombinowanych form pamięci DRAM na granicy Wspólnoty -D016 -16,4%"; -

2 -Multikombinované formy DRAM, které pocházejí z jiných zemí než z Korejské republiky, obsahují DRAM čipy nebo zamontované DRAM pocházející z Korejské republiky a jsou vyrobeny všemi jinými společnostmi než společností Samsung a představují méně než 10% čisté ceny franko hranice Společenství multikombinované formy DRAM. -D011 -

2 -Kombinowane formy pamięci DRAM pochodzące z krajów innych niż Republika Korei, zawierające chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzące z Republiki Korei i produkowane przez wszystkie przedsiębiorstwa inne niż Samsung, których wartość jest niższa niż 10% ceny netto na granicy Wspólnoty kombinowanych form pamięci DRAM -D011 -

(13) Na straně druhé jsou v čl. 1 odst. 1 původního nařízení jako typy dotčeného výrobku výslovně uvedeny wafery nebo čipy, montované DRAM (tj. zamontované DRAM a multikombinované formy DRAM) a DRAM obsažené v paměťových modulech nebo paměťových deskách (ne zakázkových), nebo v jiné agregované formě (dále jen "DRAM čipy nebo zamontované DRAM zabudované v multikombinovaných formách DRAM").

(13) Z drugiej strony, typami produktu objętego postępowaniem, o których wprost mowa w art. 1 ust. 1 rozporządzenia pierwotnego, są płytki półprzewodnikowe, struktury półprzewodnikowe (układy chipowe), zmontowane pamięci DRAM (tj. montowane pamięci DRAM i kombinowane formy pamięci DRAM) oraz pamięci DRAM przedstawiane w postaci (standardowych) modułów pamięci, kart pamięci lub zagregowane w inny sposób (zwane dalej "chipami DRAM i/lub montowanymi pamięciami DRAM wchodzącymi w skład kombinowanych form pamięci DRAM").

(16) S ohledem na DRAM čipy nebo zamontované DRAM zabudované v multikombinovaných formách DRAM získává skutečnost, že nejsou konkrétně uvedeny pod žádnými kódy KN/Taric, na významu v situacích, ve kterých multikombinované formy DRAM nepocházejí z Korejské republiky, a nevztahuje se proto na ně vyrovnávací clo při dovozu do Společenství, a to navzdory skutečnosti, že obsahují DRAM čipy nebo zamontované DRAM korejského původu.

(16) W odniesieniu do chipów DRAM lub montowanych pamięci DRAM wchodzących w skład kombinowanych form pamięci DRAM, nieoznaczenie ich w wyraźny sposób żadnym kodem CN/TARIC staje się istotne w sytuacjach, w których kombinowane formy pamięci DRAM nie pochodzą z Republiki Korei i w rezultacie nie podlegają cłu wyrównawczemu przy ich przywozie do Wspólnoty, mimo że zawierają chipy DRAM lub montowane pamięci DRAM pochodzenia koreańskiego.

-DRAM čipy kódu KN ex85422105 (kód Taric 8542210510),

-chipy (układy chipowe) DRAM objęte kodami CN ex85422105 (kod TARIC 8542210510),

-DRAM wafery kódu KN ex85422101 (kód Taric 8542210110),

-płytki półprzewodnikowe DRAM objęte kodami CN ex85422101 (kod TARIC 8542210110),