„1. Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird ein endgültiger Ausgleichszoll eingeführt.

‘1. È istituito un dazio compensativo sulle importazioni di alcuni circuiti elettronici integrati noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories -memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originarie della Repubblica di Corea.

"(1) Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird ein endgültiger Ausgleichszoll eingeführt.

"1. È istituito un dazio compensativo sulle importazioni di alcuni circuiti elettronici integrati noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originarie della Repubblica di Corea.

bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Wafern oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.
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(10) Il prodotto in esame e il prodotto simile sono gli stessi dell'inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici detti DRAM (Dynamic Random Access Memories - Memorie dinamiche ad accesso casuale) di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando varianti della tecnologia di processo MOS (semiconduttori ad ossido di metallo) e tipi complementari di MOS (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea.
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bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.
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(9) Il prodotto oggetto dell'inchiesta e il prodotto simile sono gli stessi dell'inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories - memorie dinamiche ad accesso casuale), di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea.
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Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend "betroffene Ware" genannt). Die vorstehend definierten DRAMs gibt es in folgenden Formen:

I prodotti oggetto del riesame sono alcuni circuiti elettronici integrati noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea ("il prodotto in esame"). Le DRAM di cui al paragrafo precedente possono avere la seguente forma:

1. Bezeichnung der betroffenen Ware und Einreihung in die Kombinierte Nomenklatur (KN) bzw. in die TARIC-Nomenklatur(10) In Artikel 1 Absatz 1 der ursprünglichen Verordnung wird auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen (so genannter DRAMs), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, mit Ursprung in der Republik Korea ein Ausgleichszoll eingeführt, der für alle Warentypen, unabhängig von Speicherdichte, Zugriffsgeschwindigkeit, Konfiguration, Gehäuse, Rahmen usw. gilt.

(10) L’articolo 1, paragrafo 1, del regolamento iniziale afferma che il prodotto in esame assoggettato al dazio compensativo è costituito da alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM, di ogni tipo, originari della Repubblica di Corea. Il prodotto in esame è tale indipendentemente da densità, velocità di accesso, configurazione, confezione, supporto, ecc. Nell’articolo si fa inoltre riferimento al processo produttivo [tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS)].

Bei der betroffenen Ware handelt es sich um bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Wafern oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. Hierzu zählen auch DRAMs in (nicht kundenspezifischen) Speichermodulen oder (nicht kundenspezifischen) Speicherplatten oder in einer anderen aggregierten Form, sofern deren Hauptzweck in der Speicherfunktion besteht.

Il prodotto in esame è costituito da alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories -memorie dinamiche ad accesso casuale), di ogni tipo, densità e variante, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea. Del prodotto in esame fanno parte anche le DRAM presentate in moduli di memoria (standard) o schede di memoria (standard), o aggregate in altri modi, a condizione che la loro funzione principale sia quella di fornire memoria.

(7) Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. Hierzu zählen auch DRAMs in (nicht kundenspezifischen) Speichermodulen oder (nicht kundenspezifischen) Speicherplatten oder in einer anderen aggregierten Form, sofern deren Hauptzweck in der Speicherfunktion besteht.

(7) Il prodotto in esame oggetto dell’inchiesta presente è lo stesso dell’inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories -memorie dinamiche ad accesso casuale), di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea. Del prodotto in esame fanno parte anche le DRAM presentate in moduli di memoria (standard) o schede di memoria (standard), o aggregate in altri modi, a condizione che la loro funzione principale sia quella di fornire memoria.

(9) Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. Hierzu zählen auch DRAMs in (nicht kundenspezifischen) Speichermodulen oder (nicht kundenspezifischen) Speicherplatten oder in einer anderen aggregierten Form, sofern deren Hauptzweck in der Speicherfunktion besteht [7].

(9) Il prodotto oggetto dell’inchiesta e il prodotto simile sono gli stessi dell’inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea. Del prodotto in esame fanno parte anche le DRAM presentate in moduli di memoria (standard) o schede di memoria (standard), o aggregate in altri modi, a condizione che la loro funzione principale sia quella di fornire memoria [7].

1480/2003 auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten, Varianten, Zugriffsgeschwindigkeiten, Konfigurationen, Gehäuse oder Rahmen usw., die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, mit Ursprung in der Republik Korea, die ab dem 31.
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1480/2003 sulle importazioni di alcuni circuiti integrati elettronici, detti DRAM (Dynamic Random Access Memories - Memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando varianti della tecnologia di processo MOS (semiconduttori ad ossido di metallo) e tipi complementari di MOS (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originarie della Repubblica di Corea e messe in libera circolazione a partire dal 31 dicembre 2007, dovranno essere rimborsati o sgravati.
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1480/2003 eingeführte Ausgleichszoll auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten, Varianten, Zugriffsgeschwindigkeiten, Konfigurationen, Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird mit Wirkung vom 31.
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Il dazio compensativo sulle importazioni di alcuni circuiti integrati elettronici, detti DRAM (Dynamic Random Access Memories - Memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando varianti della tecnologia di processo MOS (semiconduttori ad ossido di metallo) e tipi complementari di MOS (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originarie della Repubblica di Corea, istituito dal regolamento (CE) n.
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