Вы искали: slt cmt u va (Французский - Английский)

cmt u va
cmt u va

slt cmt tu va
i am okay

slt cmt u va e la fett
slt cmt u va e the fett

cc cv cmt u va
cc cv cmt u go

slt ma belle cmt u va en faite j voulai
hi my beautiful cmt u j is made in voulai

l i et u va
electricity

• la university of virginia à charlottesville comprend la u. va school of medicine.
• university of virginia, charlottesville, has the u. va school of medicine.

le principe du calcul des coefficients non diagonaux u i,j de la matrice u va maintenant être décrit en référence aux figures 6 et 7.
[0110] the principle used to calculate non-diagonal coefficients u ij of the u matrix will now be described with reference to figs. 6 and 7.

l'option -u va demander un mot de passe et, finalement, la base de données à utiliser doit être saisie.
the -u switch will request the password, and finally the database to be used needs to be entered.

1 o r i e n tat i o n s r e l at i v e s au x e n t i t É s p o u va n t Ê t r e e n r e g i s t r É e s da n s l e c a d r e d e l ' e m a s
organisation operating in different sites | under regulation (ec) no 761/2001 participants can still continue to register individual sites or as ‘an organisation’ (defined in article 2(s)) or part or combination thereof. either way, all participants are required to demonstrate continual improvement in performance of their significant aspects and impacts in accordance with their policy, pro-

o p t i o n s e n c o u r s d e va l i d i t É e t p o u va n t Être octroyÉes le 29 fÉvrier 2008 nombre d’actions ordinaires % des actions ordinaires en circulation
o p t i o n s o u t s ta n d i n g a n d ava i l a b l e for grant on february 29, 2008 # common shares % of outstanding common shares

a f fa i r e s da n s l e s q u e l l e s i l n ’ a pa s É t É c o n s tat É d e m a u va i s e a d m i n i s t r at i o n 3.1.1 le parlement européen
c a s e s w h e r e n o m a l a d m i n i s t r at i o n wa s f o u n d 3.1.1 the european parliament

a n n e x e d – f o r m u l a i r e d ’ É va l u at i o n d e s m a u va i s t r a i t e m e n t s d e l’ e c i
more reports from professionals table 9-7 details the increase in the number of cases of substantiated maltreatment reported by professionals. case referral rates by professionals for substantiated maltreatment increased by 165%, from 29,089 (6.02 per 1,000 children) in 1998 to 77,199 (16.23 per 1,000 children) in 2003.

l'invention porte sur un transistor mos formé sur un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité et comprenant: (a) une couche interface formée sur le substrat; (b) une couche à forte constante diélectrique recouvrant la couche (a) et constituée d'un matériau choisi parmi: ta2o5, ta2(o1-xnx)5 où x va de plus de zéro à 0,6, une solution solide de (ta2o5)r-(tio2)1-r où r va d'environ 0,9 à 1, une solution solide de (ta2o5)s-(al2o3)1-s où r va d'environ 0,9 à 1, une solution solide de (ta2o5)t-(zro2)1-t où t va d'environ 0,9 à 1, une solution solide de (ta2o5)u-(hfo2)1-u où u va d'environ 0,9 à 1, ou leur mélange, la couche interface séparant la couche (b) du substrat; (c) une électrode grille d'une largeur inférieure à 0,3 micron recouvrant la couche (b); (d) une première et une deuxième régions légèrement dopées d'un deuxième type de conductivité formées sur leurs aires respectives de la surface du substrat; (e) une zone source et une zone drain du deuxième type de conductivité; et (f) une paire d'entretoises formées sur la couche (b) au voisinage de l'électrode grille.
mos transistor formed on a semiconductor substrate of a first conductivity type and method of fabrication are provided. the device includes (a) an interfacial layer formed on the substrate; (b) a high dielectric constant layer covering the interfacial layer that comprises a material that is selected from the group consisting of ta2o5, ta2(o1-xnx)5 wherein x ranges from greater than 0 to 0.6, a solid solution of (ta2o5)r-(tio2)1-r wherein r ranges from about 0.9 to 1, a solid solution (ta2o5)s-(al2o3)1-s wherein s ranges from 0.9 to 1, a solid solution of (ta2o5)t-(zro2)1-t wherein t ranges from about 0.9 to 1, a solid solution of (ta2o5)u-(hfo2)1-u wherein u ranges from about 0.9 to 1, and mixtures thereof wherein the interfacial layer separates the high dielectric constant layer from the substrate; (c) a gate electrode having a width of less than 0.3 micron covering the high dielectric constant layer; (d) first and second lightly doped regions of a second conductivity type disposed on respective areas of the substrate surface; (e) a source and drain regions of the second conductivity type; and (f) a pair of spacers formed adjacent to the gate electrode and formed on the high dielectric constant layer.