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the present invention relates to a switching device fabricated by using nanoparticles and a preparation method thereof. the present invention ensures the mass production of switching devices (e.g., memristor) by use of nanoparticles that exhibits reversible switching behavior at current of less than ma and at room temperature (25°c) 〧 250°c in a more convenient and economical manner. predictions of the high potential of memristors based on nanoparticle assemblies are supported by the tremendous versatility to tune the electrical behavior of nanoparticles by controlling their nanoscale characteristics such as size, composition, dimension, surface area, and chemical potential.
la présente invention concerne un dispositif de commutation fabriqué à l'aide de nanoparticules ainsi que son procédé de préparation. la présente invention assure la production en masse de dispositifs de commutation (par exemple, un memristor) grâce à l'utilisation de nanoparticules qui présentent un comportement de commutation réversible à un courant inférieur à ma à une température ambiante (25°c) 〧 250°c d'une manière plus pratique et économique. des prédictions du potentiel élevé de memristors basés sur des ensembles de nanoparticules sont assurées par la très grande versatilité pour accorder le comportement électrique de nanoparticules en contrôlant leurs caractéristiques d'échelle nanométrique, telles que la taille, la composition, la dimension, la surface active, et le potentiel chimique.