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the invention provides a method to create ferromagnetism in a semiconductor comprising the steps of
la présente invention se rapporte à un procédé permettant de générer du ferromagnétisme dans un semi-conducteur. le procédé selon l'invention comprend les étapes consistant
an oxide semiconductor doped with a transition metal and exhibiting room-temperature ferromagnetism is disclosed
l'invention porte sur un semi-conducteur d'oxyde dopé métal de transition et présentant un ferromagnétisme à la température ambiante
a manganese-implanted silicon substrate exhibits ferromagnetism and a curie temperature above room temperature when magnetized
un substrat de silicium à implantation de manganèse possédant un ferromagnetisme et une température curie supérieure à la température ambiante lorsqu'il est magnétisé
a manganese-implanted silicon substrate exhibits ferromagnetism and a curie temperature above room temperature when magnetized.
l'invention concerne un substrat de silicium à implantation de manganèse possédant un ferromagnetisme et une température curie supérieure à la température ambiante lorsqu'il est magnétisé.
in particular, bi2cumno6 has a ferromagnetic transition temperature of 340 k, simultaneously exhibiting ferromagnetism and ferroelectricity even at room temperature.
en particulier, bi2cumno6 présente une température de transition ferromagnétique de 340 k, présentant simultanément un ferromagnétisme et une ferroélectricité même à température ambiante.
transparent ferromagnetic alkali/chalcogenide compound comprising solid solution of transition metal or rare earth metal and method of regulating ferromagnetism thereof
compose alcali/chalcogenure ferromagnetique transparent comprenant une solution solide d'un metal de transition ou d'un metal des terres rares et procede permettant de reguler le ferromagnetisme dudit compose
transition metal-doped oxide semiconductor exhibiting room-temperature ferromagnetism and method of sensing a gas by detecting change in magnetic properties
semi-conducteur d’oxyde dopÉ de mÉtal de transition prÉsentant un ferromagnÉtisme À la tempÉrature ambiante et procÉdÉ de dÉtection d’un gaz en dÉtectant les changements de propriÉtÉs magnÉtiques
the variation in saturation magnetization as a function of temperature at 1,000 gauss was studied, and it appeared that ferromagnetism existed up to temperatures greater than ambient temperature.
une étude de la variation, en fonction de la température, de l'aimantation à saturation sous 1000 gauss fait apparaítre l'existence d'un ferromagnétisme jusqu'à des températures supérieures à l'ambiante.
research has shown that such devices hold tremendous potential for spintronics, but, to exploit this potential, more must be known about how ferromagnetism is created in dms materials.
la recherche a montré que de tels appareils présentent un potentiel extraordinaire pour la spintronique, mais, pour pouvoir exploiter ce potentiel, il faudra mieux connaître de quelle façon le ferromagnétisme est créé dans les matériaux dms.
the apparatus is provided with a magnetic material which has ferromagnetism in a very low temperature region below 200 ° k, and a means for cooling the magnetic material to a temperature in the very low temperature region
l'appareil est doté d'un matériau magnétique présentant un ferromagnétisme dans une région de très basse température inférieure à 200 ° k, et d'un moyen de refroidissement du matériau magnétique à une température située dans la région de très basse température
the nanowires, which have diameters of ∼ 10 nm to 100 nm and lengths of up to tens of micrometers, show ferromagnetism with curie temperature above room temperature, and magnetoresistance up to 250 kelvin.
lesdits nanofils ayant des diamètres d'environ 10 nm à 100 nm et des longueurs pouvant atteindre plusieurs dizaines de microns, présentent des propriétés ferromagnétiques avec une température de curie supérieure à la température ambiante, et une résistance magnétique jusqu'à 250 kelvin.
this structure provides a ferromagnetic transition edge bolometer adapted to reversibly change the low field magnetic susceptibility in the region corresponding to the onset of ferromagnetism (ferromagnetic curie temperature) in response to incident ir radiation.
cette structure permet de réaliser un bolomètre ferromagnétique de contours de transition conçu pour modifier de façon réversible la susceptibilité magnétique en champ faible de la zone correspondant au à l'apparition du ferromagnétisme (température ferromagnétique de curie) en réponse à un rayonnement infrarouge incident.
it can be shown quite clearly that the condition for ferromagnetism is v > ε ≡ Δ/m where v is the exchange energy; Δ is the band width; m is the total number of orbitals in the band.
en peut montrer bien clairement que la condition pour qu'il y ait ferromagnétisme est v > ε = Δ/m, où v est l'énergie d'échange, Δ est la largeur de bande et m est le nombre total d'orbitales dans la bande.