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dopant gases are a source of controllable impurities used to modify the local electrical properties of the semiconductor material.
i gas droganti costituiscono una fonte di impurità controllate che vengono introdotte per modificare localmente le caratteristiche elettriche del materiale semiconduttore.
p>dopant gases are a source of controllable impurities used to modify the local electrical properties of the semiconductor material.
i gas droganti costituiscono una fonte di impurità controllate che vengono introdotte per modificare localmente le caratteristiche elettriche del materiale semiconduttore.
the operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in articles 3 and 4
operazione di diffusione durante la quale i circuiti integrati sono formati su di un substrato semiconduttore attraverso l’introduzione selettiva di un drogante appropriato, anche se assemblati e/o testati in un paese non menzionato negli articoli 3 e 4