Şunu aradınız:: durchgangslochsbereichs (Almanca - Fransızca)

halbleitervorrichtung des vertikalen typs, mit: einem halbleitersubstrat eines ersten leitfähigkeitstyps, das aus einer schicht (12) einer hohen störstellenkonzentration und einer darauf ausgebildeten schicht (11) einer niedrigen störstellenkonzentration besteht, wobei die schicht (12) der hohen störstellenkonzentration als ein drain-bereich dient, wobei die oberfläche der schicht (11) der niedrigen störstellenkonzentration eine hauptoberfläche (f) ausbildet; stromsteuer-zellenbereichen (2), von denen jeder einen senkenbereich (13) eines zweiten leitfähigkeitstyps, der in einem abschnitt der hauptoberfläche (f) ausgebildet ist, einen source-bereich (14) des ersten leitfähigkeitstyps, der in einem abschnitt der oberfläche des senkenbereichs (13) ausgebildet ist, eine gateelektrode (17) aufweist, die auf einem umfang des senkenbereichs des zweiten leitfähigkeitstyps über einem isolationsfilm (16) ausgebildet ist, um einen kanalbereich auf dem umfang des senkenbereichs (13) auszubilden, wobei die schicht (11) der niedrigen störstellenkonzentration einen drift-bereich zwischen dem senkenbereich (13) des zweiten leitfähigkeitstyps und dem drain-bereich (12) ausbildet und wobei ein strom zwischen dem drain-bereich (12) und dem source-bereich (14) mittels eines anlegens einer spannung an die gateelekrode (17) gesteuert wird; gekennzeichnet durch: einen zellenbereich (3) eines niedrigen widerstands, der einen kreisförmigen durchgangslochbereich (25) des ersten leitfähigkeitstyps aufweist, der sich von der hauptoberfläche (f) zwischen benachbarten senkenbereichen (13) zu dem drain-bereich (12) erstreckt und die schicht (11) der niedrigen störstellenkonzentration durchdringt, wobei der elektrische widerstand des kreisförmigen durchgangslochsbereichs (25) kleiner als der elektrische widerstand der schicht (11) der niedrigen störstellenkonzentration ist und wobei die position der hauptoberfläche (f) zwischen den benachbarten senkenbereichen (13) höher als die position des kanalbereichs ist, um eine vertiefte struktur zu bilden.
dispositif à semiconducteur de type vertical, comprenant : un substrat de semiconducteur d'un premier type de conductivité consistant en une couche (12) de concentration en impuretés élevée et formée sur celle-ci, une couche (11) de concentration en impuretés faible, ladite couche (12) de ladite concentration en impuretés élevée étant utilisée comme zone de drain, la surface de ladite couche (11) de ladite concentration en impuretés faible formant une surface principale (f), des zones d'éléments de commande de courant (2), comprenant chacune une zone de puits (13) d'un second type de conductivité formée dans une partie de ladite surface principale (f), une zone de source (14) dudit premier type de conductivité qui est formée dans une partie de la surface de ladite zone de puits (13), une électrode de grille (17) formée sur une périphérie de ladite zone de puits dudit second type de conductivité par l'intermédiaire d'un film isolant (16) de façon à former une zone de canal sur la périphérie de ladite zone de puits (13), ladite couche (11) de ladite concentration en impuretés faible formant une zone de migration entre ladite zone de puits (13) dudit second type de conductivité et ladite zone de drain (12), et un courant circulant entre ladite zone de drain (12) et ladite zone de source (14) étant commandé par l'application d'une tension à ladite électrode de grille (17), caractérisé par : une zone d'éléments à faible résistance (3) comprenant une zone de trou de traversée annulaire (25) dudit premier type de conductivité s'étendant depuis ladite surface principale (f) entre les zones de puits voisines (13) à ladite zone de drain (12) en passant au travers de ladite couche (11) de ladite concentration en impuretés faible, la résistance électrique de ladite zone de trou de traversée annulaire (25) étant plus faible que la résistance électrique de ladite couche (11) de ladite concentration en impuretés faible et la position de ladite surface principale (f) située entre lesdites zones de puits voisines (13) étant plus élevée que la position de ladite zone de canal de façon à constituer une structure en évidement.