Gemiddelde Rotatie Toegangssnelheid

Durchschnittliche Rotationslatenz

Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea. Deze DRAM's komen in de volgende vormen voor:

Die Überprüfung betrifft bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea (nachstehend "betroffene Ware" genannt). Die vorstehend definierten DRAMs gibt es in folgenden Formen:

“1. Er wordt een definitief compenserend recht ingesteld op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM’s, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., van oorsprong uit de Republiek Korea.

„1. Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird ein endgültiger Ausgleichszoll eingeführt.

"1. Er wordt een definitief compenserend recht ingesteld op de invoer van bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM’s, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., van oorsprong uit de Republiek Korea.

"(1) Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten und Varianten und unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird ein endgültiger Ausgleichszoll eingeführt.

(10) Artikel 1, lid 1, van de oorspronkelijke verordening bepaalt op welk product het compenserende recht van toepassing is: bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM’s, alle soorten, uit de Republiek Korea. Het betrokken product betreft DRAM’s van alle dichtheden, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz. Verder wordt ook het productieproces genoemd (varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS)).

(10) In Artikel 1 Absatz 1 der ursprünglichen Verordnung wird auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen (so genannter DRAMs), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, mit Ursprung in der Republik Korea ein Ausgleichszoll eingeführt, der für alle Warentypen, unabhängig von Speicherdichte, Zugriffsgeschwindigkeit, Konfiguration, Gehäuse, Rahmen usw. gilt.

(10) Artikel 1, lid 1, van de oorspronkelijke verordening bepaalt op welk product het compenserende recht van toepassing is: bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM’s, alle soorten, uit de Republiek Korea. Het betrokken product betreft DRAM’s van alle dichtheden, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz. Verder wordt ook het productieproces genoemd (varianten van de metaaloxide-halfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS)).

(10) In Artikel 1 Absatz 1 der ursprünglichen Verordnung wird auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen (so genannter DRAMs), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, mit Ursprung in der Republik Korea ein Ausgleichszoll eingeführt, der für alle Warentypen, unabhängig von Speicherdichte, Zugriffsgeschwindigkeit, Konfiguration, Gehäuse, Rahmen usw. gilt.

Het bericht heeft betrekking op bepaalde micro-elektronische schakelingen, de zogenaamde Dynamic Random Access Memories ("DRAM's"), in alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte "wafers" of "chips" (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, met inbegrip van complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea, waaronder DRAM's in (standaard)geheugenmodules, (standaard)geheugenborden of in een andere geaggregeerde vorm waarvan de voornaamste functie het beschikbaar stellen van geheugen is.

Bei der betroffenen Ware handelt es sich um bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Wafern oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. Hierzu zählen auch DRAMs in (nicht kundenspezifischen) Speichermodulen oder (nicht kundenspezifischen) Speicherplatten oder in einer anderen aggregierten Form, sofern deren Hauptzweck in der Speicherfunktion besteht.

(7) Het betrokken product in het kader van dit onderzoek is hetzelfde als in het oorspronkelijke onderzoek, namelijk bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM’s, van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte “wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea. Het betrokken product omvat ook DRAM’s in (standaard)geheugenmodules, (standaard)geheugenborden of in een andere geaggregeerde vorm waarvan de voornaamste functie het beschikbaar stellen van geheugen is.

(7) Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. Hierzu zählen auch DRAMs in (nicht kundenspezifischen) Speichermodulen oder (nicht kundenspezifischen) Speicherplatten oder in einer anderen aggregierten Form, sofern deren Hauptzweck in der Speicherfunktion besteht.

(7) Het betrokken product in het kader van dit onderzoek is hetzelfde als in het oorspronkelijke onderzoek, namelijk bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM’s, van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte "wafers" of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea. Het betrokken product omvat ook DRAM’s in (standaard)geheugenmodules, (standaard)geheugenborden of in een andere geaggregeerde vorm waarvan de voornaamste functie het beschikbaar stellen van geheugen is.

(7) Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. Hierzu zählen auch DRAMs in (nicht kundenspezifischen) Speichermodulen oder (nicht kundenspezifischen) Speicherplatten oder in einer anderen aggregierten Form, sofern deren Hauptzweck in der Speicherfunktion besteht.

(9) De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte "wafers" of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea. Hieronder begrepen zijn ook DRAM's in (standaard)geheugenmodules, (standaard)geheugenborden of in een andere geaggregeerde vorm waarvan de voornaamste functie het beschikbaar stellen van geheugen is [7].

(9) Diese Untersuchung betrifft dieselbe Ware wie die Ausgangsuntersuchung, d. h. bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea. Hierzu zählen auch DRAMs in (nicht kundenspezifischen) Speichermodulen oder (nicht kundenspezifischen) Speicherplatten oder in einer anderen aggregierten Form, sofern deren Hauptzweck in der Speicherfunktion besteht [7].