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Deutsch

Programmierbare Festwertspeicheranordnungen.

Englisch

Programmable read-only memory devices.

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 1
Qualität:

Deutsch

FESTWERTSPEICHER UND FESTWERTSPEICHERANORDNUNGEN

Englisch

A READ-ONLY MEMORY AND READ-ONLY MEMORY DEVICES

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 1
Qualität:

Deutsch

Nichtflüchtige, programmierbare Festwertspeicheranordnung nach Anspruch 4, bei der die Source- und Drainbereiche des Schalttransistors in Kontakt mit den Source- und Drainbereichen des Speichertransistors gehalten sind.

Englisch

A non-volatile programmable read only memory device as set forth in claim 4, in which said source and drain regions of said switching transistor are held in contact with said source and drain regions of said memory transistor.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-05
Nutzungshäufigkeit: 1
Qualität:

Deutsch

Nichtflüchtige, programmierbare Festwertspeicheranordnung nach Anspruch 1, bei der die Speichertransistoren mit einem ersten Zwischenebenen-Isolierfilm (46) abgedeckt sind und bei dem die Schalttransistoren jeweils durch Dünnschichttransistoren gebildet sind, die auf dem ersten Zwischenebenen-Isolierfilm über den zugehörigen Speichertransistoren vorgesehen sind. Nichtflüchtige, programmierbare Festwertspeicheranordnung nach Anspruch 2, bei der jeder der Speichertransistoren Source- und Drainbereiche (42b bis 42e) aufweist, die in einem Hauptflächenteil des Halbleitersubstrats ausgebildet sind, wobei ein unterer Gate-Isolierfilm (45b) die Fläche zwischen den Source- und Drainbereichen abdeckt, auf dem unteren Gate-Isolierfilm eine schwebende Gate-Elektrode (FG) ausgebildet ist, auf der schwebenden Gate-Elektrode ein oberer Gate-Isolierfilm (45c) ausgebildet ist, und eine Steuergate-Elektrode, die einen Teil der zugehörigen ersten Wortleitung (X11, ..., Xm3) bildet, auf dem oberen Gate-Isolierfilm vorgesehen ist.

Englisch

A non-volatile programmable read only memory device as set forth in claim 2, in which each of said memory transistors comprises source and drain regions (42b to 42e) formed in a major surface portion of said semiconductor substrate, a lower gate insulating film (45b) covering that area between said source and drain regions, a floating gate electrode (FG) formed on said lower gate insulating film, an upper gate insulating film (45c) formed on said floating gate electrode, and a controlling gate electrode forming a part of said associated first word line (X11,..., Xm3) and provided on said upper gate insulating film.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-05
Nutzungshäufigkeit: 1
Qualität:

Deutsch

Nichtflüchtige, programmierbare Festwertspeicheranordnung auf einem Halbleitersubstrat (41) ausgebildet; mit: a) einer Vielzahl von Speicherzellen (M111 bis Mmn3), in einer Vielzahl von Speicherblöcken (MB11 bis MBmn) gruppiert und in Zeilen und Spalten angeordnet, wobei jeder Speicherblock eine Vielzahl von Speicherzellen hat, die in Reihe geschaltet sind; b) einer Vielzahl von Bit-Leitungen (Y1 bis Yn), die jeweils den Spalten der Vielzahl von Speicherzellen zugeordnet sind; c) einer Vielzahl von Wort leitungen, die den Zeilen der Speicherzellen zugeordnet sind; d) einer Sourceleitung (S), die zwischen den Speicherblöcken geteilt ist, und e) wobei jede der Speicherzellen durch eine parallele Kombination aus einem Schalttransistor (ST) und einem Speichertransistor (MT) mit einem unterschiedlichen Schwellwertpegel zwischen einem gelöschten Zustand und einem Einschreibzustand verwirklicht ist, wobei der Speichertransistor auf einer Hauptfläche des Halbleitersubstrats ausgebildet ist und jeder der Speicherblöcke zwischen die zugehörige Bit-Leitung und die Sourceleitung gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalttransistor über dem Speichertransistor vorgesehen ist, und daß die Vielzahl von Wortleitungen aufweist c-1) eine Vielzahl von ersten Wortleitungen (X11 bis Xm3), die jeweils an die Speichertransistoren der zugehörigen Zeilen gekoppelt ist, und c-2) eine Vielzahl von zweiten Wortleitungen (Z11 bis Zm3), die jeweils paarweise mit den ersten Wortleitungen angeordnet und an die Schalttransistoren der zugehörigen Zeilen gekoppelt sind, wobei die ersten und zweiten Wort leitungen unabhängig zwischen Spannungspe geln verschoben werden.

Englisch

A non-volatile programmable read only memory device fabricated on a semiconductor substrate (41); comprising: a) a plurality of memory cells (M111 to Mmn3) grouped into a plurality of memory blocks (MB11 to MBmn) and arranged in rows and columns, each memory block having a plurality of memory cells coupled in series, b) a plurality of bit lines (Y1 to Yn) respectively associated with said columns of said plurality of memory cells, c) a plurality of word lines associated with said rows of said memory cells, d) a source line (S) shared between said memory blocks, and e) each of said memory cells being implemented by a parallel combination of a switching transistor (ST) and a memory transistor (MT) having threshold level different between an erased state and a write-in state, said memory transistor being formed on a major surface of said semiconductor substrate, and each of said memory blocks being coupled between said associated bit line and said source line, characterised in that said switching transistor is provided over said memory transistor, said plurality of word lines comprises A non-volatile programmable read only memory device as set forth in claim 1, in which memory transistors are covered with a first inter-level insulating film (46), and in which said switching transistors are respectively formed by thin film transistors provided on said first inter-level insulating film over said associated memory transistors.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-05
Nutzungshäufigkeit: 1
Qualität:

Deutsch

Nichtflüchtige, programmierbare Festwertspeicheranordnung nach Anspruch 3, bei der jeder der Schalttransistoren eine Gate-Elektrode, die einen Teil einer der zweiten Wortleitungen (Z11, ..., Zm3) bildet, aufweist, und auf dem ersten Zwischenebenen-Isolierfilm vorgesehen ist, ein Gate-Isolierfilm (60) die Gate-Elektrode abdeckt, und ein Polysiliziumstreifen (61) sich über dem Gate-Isolierfilm erstreckt, und Source- und Drainbereiche (61a bis 61d) und einen Kanalbereich (61e bis 61g) hat, der zwischen den Source- und Drainbereichen liegt, wobei die Steuergate-Elektrode des Speichertransistors im wesentlichen mit der Gate-Elektrode des Schalttransistors überlappt angeordnet ist.

Englisch

A non-volatile programmable read only memory device as set forth in claim 3, in which each of said switching transistors comprises a gate electrode forming a part of one of said second word lines (Z11,..., Zm3) and provided on said first inter-level insulating film, a gate insulating film (60) covering said gate electrode, and a polysilicon strip (61) extending over said gate insulating film and having source and drain regions (61a to 61d) and a channel region (61e to 61g) intervening between said source and drain regions, said controlling gate electrode of said memory transistor being substantially overlapped with said gate electrode of said switching transistor.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-05
Nutzungshäufigkeit: 1
Qualität:

Deutsch

Nichtflüchtige, programmierbare Festwertspeicheranordnung nach Anspruch 3, bei der jeder der Schalttransistoren einen Polysiliziumstreifen (47) aufweist, der auf dem ersten Zwischenebenen-Isolierfilm ausgebildet ist, und Source- und Drainbereiche (47a bis 47d) hat und ein Kanalbereich (47e bis 47g) zwischen dem Source- und Drainbereich ausgebildet ist, wobei der Kanalbereich von einem Gate-Isolierfilm (45d) abgedeckt ist, und eine Gate-Elektrode einen Teil der zugehörigen zweiten Wortleitung (Z11, ..., Zm3) bildet, wobei der Kanalbereich im wesentlichen mit der Steuergate-Elektrode des zugehörigen Speichertransistors überlappt ist.

Englisch

A non-volatile programmable read only memory device as set forth in claim 3, in which each of said switching transistors comprises a polysilicon strip (47) formed on said first inter-level insulating film and having source and drain regions (47a to 47d) and a channel region (47e to 47g) formed between said source and drain region, an gate insulating film (45d) covering said channel region, and a gate electrode forming a part of said associated second word line (Z11,..., Zm3), said channel region being substantially overlapped with said controlling gate electrode of said associated memory transistor.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-05
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

HALBLEITER-FESTWERTSPEICHERANORDNUNG MIT SUBSTRATKONTAKT UND POLYSILIZIUM-ÜBERBRÜCKUNGSZELLE

Englisch

SEMICONDUCTOR READ-ONLY MEMORY DEVICE WITH SUBSTRATE CONTACT AND POLYSILICON BRIDGING CELLS

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 3
Qualität:

Deutsch

FESTWERTSPEICHER UND FESTWERTSPEICHERANORDNUNG

Englisch

A READ-ONLY MEMORY AND READ-ONLY MEMORY DEVICE

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

Festwertspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung

Englisch

A read only memory array and a method of manufacturing the array

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

Sehr schnelle mehrwertige Festwertspeicheranordnung

Englisch

High read speed multivalued read only memory device

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

Maskenprogrammierbare Festwertspeicheranordnung mit einer Mehrpegelspeicherzellenmatrix und ihr Herstellungsverfahren.

Englisch

Mask programmable read only memory device with multi-level memory cell array and process of fabrication thereof.

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

Programmierbare Festwertspeicheranordnung mit einer Vielzahl von Speicherzellen, jede implementiert mit einem Speichertransistor und einem darüber gestapelten Schalttransistor.

Englisch

Non-volatile programmable read only memory device having a plurality of memory cells each implemented by a memory transistor and a switching transistor stacked thereon.

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

Festwertspeicheranordnung.

Englisch

Read only memory device.

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 6
Qualität:

Deutsch

Programmierbare Festwertspeicheranordnung.

Englisch

Programmable read-only memory device.

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

FESTWERTSPEICHERANORDNUNG.

Englisch

READ-ONLY MEMORY SYSTEM.

Letzte Aktualisierung: 2014-11-28
Nutzungshäufigkeit: 1
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