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NAND-FLASH-SPEICHERSYSTEMARCHITEKTUR

Französisch

ARCHITECTURE DE SYSTEME DE MEMOIRE FLASH NAND

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
Nutzungshäufigkeit: 1
Qualität:

Deutsch

DATENZUTEILUNG IN EINER SPEICHERSYSTEMARCHITEKTUR

Französisch

ATTRIBUTION DE DONNEES DANS UNE ARCHITECTURE DE SYSTEME DE STOCKAGE

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

SPEICHERSYSTEMARCHITEKTUR ZUM STRIPING VON DATENCONTAINERINHALT ÜBER VOLUMEN EINES CLUSTERS HINWEG

Französisch

ARCHITECTURE DE SYSTEME DE STOCKAGE POUR UN STRIPPAGE DE CONTENU DE CONTENANT DE DONNEES DANS LES VOLUMES D'UNE GRAPPE

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

Speichersystemarchitektur nach Anspruch 2, wobei der Befehls- und Adreßbus (208) ein Einweg-Adreßbus ist.

Französisch

Architecture de système de mémoire selon la revendication 2, dans laquelle le bus de commande et d'adresse (208) est un bus d'adresse unidirectionnel.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

Speichersystemarchitektur nach Anspruch 1, wobei die mehreren Speichermodule (210a; 210b) zwei Speichermodule umfassen und die mehreren Speicherchips (1a bis 16a; 1b bis 16b) sechzehn Speicherchips umfassen.

Französisch

Architecture de système de mémoire selon la revendication 1, dans laquelle la pluralité de modules de mémoire (210a ; 210b) comprend deux modules de mémoire et la pluralité de puces de mémoire (1a à 16a ; 1b à 16b) comprend seize puces de mémoire.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
Nutzungshäufigkeit: 1
Qualität:

Deutsch

Speichersystemarchitektur nach Anspruch 1, wobei jede Komponente an einem Signalabschlußpunkt (212a; 212b) auf dem entsprechenden Speichermodul (210a; 210b) nach der fortlaufenden Ausbreitung durch jeden der mehreren Speicherchips (1a bis 16a; 1b bis 16b) abgeschlossen ist.

Französisch

Architecture de système de mémoire selon la revendication 1, dans laquelle chaque composante se termine au niveau d'un point d'extrémité de signal (212a ; 212b) sur le module de mémoire correspondant (210a ; 210b) après propagation en série à travers chacune de la pluralité de puces de mémoire (1a à 16a ; 1b à 16b).

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

Speichersystemarchitektur nach Anspruch 1, wobei jedes Speichermodul (210a; 210b) ein Speichermodul mit beidseitig beschichteter Platine ist und jeder Speicherchip (1a bis 16a; 1b bis 16b) ein dynamischer Speicherchip ist.

Französisch

Architecture de système de mémoire selon la revendication 1, dans laquelle chaque module de mémoire (210a ; 210b) est un module de mémoire série double, et chaque puce de mémoire (1a à 16a ; 1b à 16b) est une puce de mémoire vive dynamique.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
Nutzungshäufigkeit: 1
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Speichersystemarchitektur nach Anspruch 3, wobei das Befehls- und Adreßsignal sich von einem Anschlußstift (207) auf einem Chipsatz (205), der den Speichercontroller (206) umfaßt, zu einem Anschlußstift (211a) auf dem ersten Speichermodul (210a) ausbreitet.

Französisch

Architecture de système de mémoire selon la revendication 3, dans laquelle le signal de commande et d'adresse se propage depuis une broche (207) située sur un jeu de composants (205) contenant le contrôleur de mémoire (206) vers une broche (211a) située sur le premier module de mémoire (210a).

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
Nutzungshäufigkeit: 1
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Deutsch

Speichersystemarchitektur, umfassend: einen Speichercontroller (206); mehrere Speichermodule (210a; 210b), wobei jedes Speichermodul mehrere Speicherchips (1a bis 16a; 1b bis 16b) umfaßt; einen Befehls- und Adreßbus (208), der den Speichercontroller (206) mit jedem der mehreren Speichermodule (210a; 210b) derart verbindet, daß ein Befehls- und Adreßsignal, das sich vom Speichercontroller zu einem der Speicherchips ausbreitet, sich bis zu einem ersten Speichermodul (210a) ausbreitet, in Komponenten aufgeteilt ist, wobei jede Komponente einem der mehreren Speichermodule (210a; 210b) entspricht, dadurch gekennzeichnet, daß jede Komponente sich fortlaufend zu jedem der mehreren Speicherchips (1a bis 16a; 1b bis 16b) des entsprechenden Speichermoduls ausbreitet, wobei eine erste Impedanz zwischen einem Verbinder auf dem Speichercontroller (206) und dem Verbinder auf dem ersten Speichermodul (210a) kleiner als eine zweite Impedanz durch ein Speichermodul ist, wobei jede Komponente an einem Signalabschlußpunkt (212a; 212b) auf einem Chip eines letzten Speicherchips (16a; 16b) nach der fortlaufenden Ausbreitung durch jeden der mehreren Speicherchips des entsprechenden Speichermoduls abgeschlossen ist.

Französisch

Architecture de système de mémoire comprenant : un contrôleur de mémoire (206) ; une pluralité de modules de mémoire (210a ; 210b), chaque module de mémoire contenant une pluralité de puces de mémoire (1a à 16a ; 1b à 16b) ; un bus de commande et d'adresse (208) couplant le contrôleur de mémoire (206) à chacun des modules de la pluralité de modules de mémoire (210a ; 210b) de sorte qu'un signal de commande et d'adresse se propageant du contrôleur de mémoire à une des puces de mémoire se propage vers un premier module de mémoire (210a), divisé en composantes, chaque composante correspondant à un module de la pluralité de modules de mémoire (210a ; 210b), caractérisé en ce que chaque composante se propage en série vers chaque puce de la pluralité de puces de mémoire (1a à 16a ; 1b à 16b) du module de mémoire correspondant, où une première impédance entre un connecteur sur le contrôleur de mémoire (206) et le connecteur sur le premier module de mémoire (210a) est inférieure à une seconde impédance à travers un module de mémoire, où chaque composante se termine au niveau d'un point d'extrémité de signal (212a ; 212b) sur une pastille d'une dernière puce de mémoire (16a ; 16b) après propagation en série à travers chacune de la pluralité de puces de mémoire du module de mémoire correspondant.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
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