Sie suchten nach: einschlussschicht (Deutsch - Französisch)

laser nach anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der teil der oberen einschlussschicht, der leitend ist, dies aufgrund der dotierung mit silizium ist.
laser selon la revendication 9, caractérisé en ce que la partie de la couche de confinement supérieure rendue conductrice l'est par dopage au silicium.

laser nach anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die oberelektrode (20) über dotierung in der oberen einschlussschicht (18, 20) gebildet wird.
laser selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite électrode supérieure (20) est formée par dopage dans la couche de confinement supérieure (18, 20).

ein laser (10) mit: einem substrat (14); einer zu dem substrat benachbarten n-dotierten mantelschicht (18); einer zu der n-dotieren mantelschicht (18) benachbarten ersten einschlußschicht (20); einem zur ersten einschlußschicht benachbarten aktiven gebiet (22); einer zum aktiven gebiet (22) benachbarten zweiten einschlußschicht (24); einer zur zweiten einschlußschicht (24) benachbarten p-dotieren mantelschicht (26), wobei die mantelschicht einen damit verknüpften bandlückenenergiewert aufweist; und einer tunnelbarrierenschicht (12) mit einem indirekten bandlückenenergiewert und einem damit verknüpften direkten bandlückenenergiewert, wobei der indirekte bandlückenenergiewert kleiner ist als der direkte bandlückenenergiewert und wobei die tunnelbarrierenschicht (12) zwischen der zweiten einschlußschicht (24) und der p-dotierten mantelschicht (26) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die indirekte bandlückenenergie der tunnelbarrierenschicht gleich oder kleiner als der mit der p-dotierten mantelschicht verknüpften bandlückenenergiewert ist, und daß die tunnelbarrierenschicht (12) ausreichend dünn ist, so daß elektronenstreuung innerhalb der barrierenschicht (12) reduziert ist, so daß die direkte bandlücke die effektive barriere ist.
laser (10) constitué de : un substrat (14), une couche de placage dopée de type n (18) adjacente audit substrat, une première couche de confinement (20) adjacente à ladite couche de placage dopée de type n (18), une région active (22) adjacente à ladite première couche de confinement, une seconde couche de confinement (24) adjacente à ladite région active (22), une couche de placage dopée de type p (26) adjacente à ladite seconde couche de confinement (24), ladite couche de placage présentant une valeur d'énergie de bande interdite associée à celle-ci, et une couche de barrière à effet tunnel (12) présentant une valeur d'énergie de bande interdite indirecte et une valeur d'énergie de bande interdite directe associées à celle-ci, la valeur d'énergie de bande interdite indirecte étant inférieure à la valeur d'énergie de bande interdite directe, ladite couche de barrière à effet tunnel (12) étant disposée entre ladite seconde couche de confinement (24) et ladite couche de placage dopée de type p (26), caractérisé en ce que : l'énergie de bande interdite indirecte de ladite couche de barrière à effet tunnel est inférieure ou égale à la valeur d'énergie de bande interdite associée à ladite couche de placage dopée de type p, et en ce que ladite couche de barrière à effet tunnel (12) est suffisamment mince de sorte que la diffusion d'électrons à l'intérieur de la couche de barrière (12) est réduite, de sorte que la bande interdite directe constitue la barrière efficace.