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eine vorrichtung entsprechend anspruch 1, bei welcher der festkörperlaser laserstrahlen empfängt, die von einer vielzahl von halbleiterlasereinrichtungen emittiert werden.
appareil selon la revendication 1, dans lequel ledit laser à solide reçoit des faisceaux laser émis par une pluralité de dispositifs laser à semi-conducteur.

eine halbleiterlasereinrichtung umfassend eine doppelte hetero-struktur, die auf einem halbisolierenden substrat (131) gebildet ist, und in der eine einzige aktive schicht (137) zwischen einer unteren, undotierten schicht (133) und einer oberen, undotierten algaas Überzugsschicht (135,105) zwischengefügt ist, und Überzugsschichten zur trägerinjektion (113,115) wie inseln eingebettet sind, um eine vielzahl von eingebetteten laserstrukturen mit lateraler grenzschicht zu bilden, die in tandemform angeordnet sind, wobei die genannten Überzugsschichten zur trägerinjektion (113,105) von jeder der genannten laserstrukturen eine algaas Überzugsschicht vom p-typ und n-typ (139,141) einschließt, wobei auf jeder eine gaas abdeckschicht (140,142) gebildet ist, und die anordnung derart ist, daß die genannten Überzugsschichten zur ladungsinjektion von jeder laserstruktur durch einen ersten bereich (135) der genannten undotierten algaas Überzugsschicht getrennt ist, und daß die genannten Überzugsschichten zur trägerinjektion von benachbarten tandemlaserstrukturen durch weitere bereiche (105) der genannten undotierten algaas Überzugsschicht getrennt sind, und daß elektroden, die mit den genannten abdeckschichten verbunden sind, die einzigen elektroden der einrichtung bilden.
dispositif laser à semiconducteur comprenant une double hétérostructure formée sur un substrat semi-isolant (131) et dans laquelle une couche active unique (137) est interposée entre une couche non dopée inférieure (133) et une couche de revêtement en algaas non dopé supérieure (135, 105) et des couches de revêtement d'injection de porteurs (113, 115) sont noyées comme des ílots pour former une série de structures laser à semiconducteur noyées du type à jonction latérale disposées en tandem, les couches de revêtement d'injection de porteurs (113, 115) de chaque structure laser comprenant une couche de revêtement en algaas du type p (139) et une couche de revêtement en algaas du type n (141) sur chacune desquelles est formée une couche de recouvrement en gaas (140, 142), et la disposition étant telle que les couches de revêtement d'injection de porteurs de chaque structure laser sont séparées par une première zone (135) de ladite couche de revêtement en algaas non dopé et que les couches de revêtement d'injection de porteurs des structures laser tandem voisines sont séparées par d'autres zones (105) de la couche de revêtement en algaas non dopé, et que des électrodes associées aux couches de recouvrement forment les seules électrodes du dispositif.