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verfahren zum erhÖhen der inversionsschicht-beweglichkeit einer halbleiteranordnung aus siliziumcarbid
procede permettant d'obtenir une couche d'inversion presentant une mobilite accrue dans des dispositifs a semiconducteur a base de carbure de silicium
verfahren zur verbesserung der inversionsschicht-beweglichkeit einer metal-oxyd-halbleiter feldeffekttransistor aus siliziumcarbid
procede permettant d'ameliorer la mobilite d'une couche d'inversion dans un sic mosfet
verfahren nach einem der ansprüche 47, 48 oder 49, bei dem die leitfähigkeit der inversionsschicht während des programmierens überwacht wird.
procédé selon la revendication 47, 48 ou 49 dans lequel la conductivité de ladite couche d'inversion est surveillée pendant la programmation.
die anwendungsmöglichkeiten sind vielfältig: es können aufsteigende rauchfahnen, die verdünnung in der atmosphäre und die höhe der inversionsschicht gemessen werden.
les utilisations sont multiples : on peut mesurer l'altitude atteinte par les fumées, la dilution dans l'atmosphère et la position de la couche d'inversion.
die schadstoffe werden dann beim aufsteigen gebremst und unter einer „inversionsschicht" festgehalten, die wie eine wärmeglocke wirkt.
ce phénomène, qui ignore les frontières, correspond au transfert des pollutions à longue distance communément appelé « pluies acides ».
langley (vu.) untersucht wurde. der rauch steigt bis zur inversionsschicht empor und diffundiert seitlich in das tal.
la fumée monte jusqu'au moment oit elle rencontre la couche d'inversion et se répand latéralement dans la vallée.
verfahren nach einem der ansprüche 51 bis 55, bei dem während des programmierens die leitfähigkeit der inversionsschicht im zweiten kanalbereich (87) überwacht wird.
procédé selon l'un quelconque des revendications 51 à 55 dans lequel la conductivité de ladite couche d'inversion dans ladite deuxième région formant canal (87) est surveillée pendant la programmation.
verfahren zur wiederverwendung von silizium-basismaterial einer metall-isolator-halbleiter-(mis)-inversionsschicht-solarzelle
méthode pour la réutilisation du matériau de base silicium d'une cellule solaire métal-isolant-semi-conducteur (mis) à couche d'inversion
feldeffekttransistor gemäß anspruch 1, bei dem das dotierungsprofil eingestellt ist, so dass der kanalbereich (5) vollständig verarmt ist, wenn eine inversionsschicht gebildet wird.
transistor à effet de champ selon la revendication 1, dans lequel ledit profil de dopage est conçu de telle sorte que la dite région de canal (5) subit une déplétion complète lors de la réalisation d'une couche d'inversion.
der feldeffekttransistor nach anspruch 1, worin zumindest eine der ersten und zweiten vorbestimmten tiefen derart ausgewählt ist, daß ladungsträger des zweiten leitfähigkeitstyps innerhalb der kanalregion von der sourceregion zu der drainregion und unterhalb der ersten oberfläche fließen können, ohne eine inversionsschicht in dem kanal zu erzuegen.
transistor à effet de champ suivant la revendication 1, où au moins l'une des première et deuxième épaisseurs prédéterminées est choisie pour permettre aux porteurs du deuxième type de conductivité de s'écouler dans la région de canal, depuis la région de source vers la région de drain et en dessous de la première surface, sans créer une couche d'inversion dans le canal.
detektor nach anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die mos-strukturen segmentiert sind, so daß sich somit die inversionsschichten der einzelnen segmente auf unterschiedliche spannungen einstellen können.
détecteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que les structures mos sont découpées en segments de sorte que les couches d'inversion des différents segments peuvent prendre des tensions différentes.