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sgd
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Letzte Aktualisierung: 2011-10-23
Nutzungshäufigkeit: 12
Qualität:
die sgd werden ein querschnittsaspekt aller anstrengungen zur umsetzung der eugs20 sein.
les objectifs de développement durable constitueront une dimension transversale de tous les travaux de mise en œuvre de la sgue20.
zusammengenommen schaffen die agenda 2030 und die aktionsagenda von addis abeba die erforderlichen voraussetzungen für eine globale partnerschaft zur verwirklichung der sgd, die sich auf die hierfür erforderlichen politischen und finanziellen mittel stützt.
ces deux programmes énoncent ensemble la voie à suivre, dans le cadre d'un partenariat mondial englobant les politiques et les moyens financiers, pour réaliser les objectifs de développement durable.
eine nicht flüchtige halbleiterspeichervorrichtung, umfassend: eine speicherzellenanordnung (21) mit einer vielzahl von speicherzelleneinheiten, die in form einer matrix angeordnet sind, wobei jede der speicherzelleneinheiten eine vielzahl von speicherzellen umfasst, die miteinander verbunden sind, ein erstes selektives gate (sgdi), um die speicherzelleneinheit mit einer bitleitung (bl0) zu verbinden, und ein zweites selektives gate (sgsi) zum verbinden der speicherzelleneinheit mit einer quellleitung (cell source), wobei die speicherzellen jeweilige steuergates (cg0i-cg15i) aufweisen, wobei die steuergates in der gleichen zeile angeordnet sind und miteinander verbunden sind; eine vielzahl von ersten gemeinsamen gateleitungen (cg0-cg15), um eine vorgegebene spannung an die steuergates (cg0i-cg15i) anzulegen; eine zweite gemeinsame gateleitung (sgd) zum anlegen einer vorgegebenen spannung an das erste selektive gate (sgdi) ; eine dritte gemeinsame gateleitung (sgs) zum anlegen einer vorgegebenen spannung an das zweite selektive gate (sgsi) ; erste Übertragungsgates (t2i-t17i), jeweils angeordnet zwischen einem entsprechenden der steuergates (cg0i-cg15i) und einer entsprechenden der ersten gemeinsamen gateleitungen (cg0-cg15), um diese miteinander in antwort auf ein steuersignal (tgi) zu verbinden; ein zweites Übertragungsgate (t1i), angeordnet zwischen dem ersten selektiven gate (sgdi) und der zweiten gemeinsamen gateleitung (sgd), um diese miteinander in antwort auf das steuersignal (tgi) zu verbinden; ein drittes Übertragungsgate (t18i), angeordnet zwischen dem zweiten selektiven gate (sgsi) und der dritten gemeinsamen gateleitung (sgs), um diese miteinander zu verbinden in antwort auf das steuersignal (tgi) ; eine zeilenauswahlvorrichtung (22) zum anlegen des steuersignals (tgi) an das erste bis dritte Übertragungsgate, um die steuergates (cg0i-cg15i) auszuwählen, und das erste und zweite selektive gate (sgdi, sgsi) jeder speicherzelleneinheit; eine spaltenauswahlvorrichtung (26), um die bitleitungen auszuwählen; und wobei die speicherzelleneinheiten und das erste und zweite selektive gate in einem quellenbereich angeordnet sind, und eine spannung größer als eine energieversorgungsspannung an den quellenbereich zum zeitpunkt eines löschens von in den speicherzellen gespeicherten daten angelegt wird, gekennzeichnet durch eine erste spannungserzeugungsschaltung (29), um entweder eine energieversorgungsspannung oder eine spannung, um die schwellwertspannung der ersten bis dritten Übertragungsgates (t1i-t17i) niedriger als die energieversorgungsspannung, zu erzeugen, und um die erzeugte spannung an die zweite und dritte gemeinsame gateleitung (sgd, sgs) zum zeitpunkt eines löschens von in den speicherzellen gespeicherten daten anzulegen.
dispositif de mémoire à semi-conducteur non-volatil comprenant : un réseau de cellules de mémoire (21) ayant une pluralité d'unités de cellules de mémoire disposée sous la forme d'une matrice, chacune des unités de cellules de mémoire comprenant une pluralité de cellules de mémoire raccordées les unes aux autres, une première grille sélective (sgdi) pour raccorder l'unité de cellules de mémoire à une ligne binaire (bl0) et une seconde grille sélective (sgsi) pour raccorder l'unité de cellules de mémoire à une ligne de source (source de cellules), les cellules de mémoire ayant des grilles de commande respective (cg0i à cg15i), où les grilles de commande disposée dans la même rangée sont raccordées les unes aux autres ; une pluralité de premières lignes de grille commune (cg0 à cg15) pour appliquer une tension prédéterminée aux grilles de commande (cg0i à cg15i) ; une seconde ligne de grille commune (sgd) pour appliquer une tension prédéterminée à la première grille sélective (sgd) ; une troisième ligne de grille commune (sgs) pour appliquer une tension prédéterminée à la seconde grille sélective (sgsi) ; des premières grilles de transfert (t2i à t17i) chacune interposées entre une des grilles de commande (cg0i à cg15i) correspondante et une des premières lignes de grille commune (cg0 à cg15) correspondante pour les raccorder les unes aux autres en réponse au signal de commande (tgi) ; une seconde grille de transfert (tli) interposée entre la première grille sélective (sgdi) et la seconde ligne de grille commune (sgd) pour les raccorder l'une à l'autre en réponse au signal de commande (tgi) ; une troisième grille de transfert (t18i) interposée entre la seconde grille sélective (sgsi) et la troisième ligne de grille commune (sgs) pour les raccorder l'une à l'autre en réponse au signal de commande (tgi) ; un moyen de sélection de rangée (22) pour fournir le signal de commande à des première, seconde et troisième grilles de transfert pour sélectionner les grilles de commande (cg0i à cg15i) et les première et seconde grilles sélectives (sgdi, sgsi) de chacune des unités de cellules de mémoire ; un moyen de sélection de colonne (26) pour sélectionner les lignes binaires ; dans lequel les unités de cellules de mémoire et les première et seconde grilles sélectives sont disposées dans une zone de caisson, et une tension supérieure à une tension d'alimentation est appliquée à la zone de caisson au moment de l'effacement des données stockées dans les cellules de mémoire ; caractérisé par un premier circuit de génération de tension (22) pour générer une d'une tension d'alimentation et inférieure à la tension d'alimentation de la tension de seuil des première et seconde grilles de transfert (t1i à t17i) et pour fournir la tension générée aux seconde et troisième lignes de grille commune (sgd, sgs) au moment de l'effacement des données stockées dans les cellules de mémoire.