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gey

Französisch

cra

Letzte Aktualisierung: 2017-04-06
Nutzungshäufigkeit: 2
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Englisch

sex gey

Französisch

sex gey

Letzte Aktualisierung: 2023-01-09
Nutzungshäufigkeit: 1
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Referenz: Anonym

Englisch

cah bai skh skx car hol mzz cre cad swm kcx kcr kca cge ger gey cra slv lov lok lbc lbt sln sls vlo

Französisch

pez arv ari cpr soz kni kns jaq dcp cru abp giw oyx ode oyg oyc msl msx psu scx mag

Letzte Aktualisierung: 2015-05-14
Nutzungshäufigkeit: 1
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Referenz: Anonym

Englisch

the cells are treated with gey's solution in order to remove the erythrocytes.

Französisch

les cellules sont traitées avec une solution de gey's, afin d'éliminer les hématies.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
Nutzungshäufigkeit: 1
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Referenz: Anonym

Englisch

lx,gey frum your six cidock pctsitiun by cumpll'ing with thc lulluwing suggestion:

Französisch

~~ils vous apprendront a utiliser ir systcme de guidage de vol numeriqur pour corrigcr vatre rxperienic initiale de pilotage .» ~~nous riavons pas besoin de donner unr augmentation a nos pilotcs.

Letzte Aktualisierung: 2015-05-14
Nutzungshäufigkeit: 1
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Referenz: Anonym

Englisch

a method for forming strained si or sige on relaxed sige on insulator (74) (sgoi) is described incorporating growing a graded si1-x gex layer (20) and an epitaxial si1-y gey layer on a semiconductor substrate, implanting hydrogen (70) into said si1-y gey layer (30) to form a hydrogen-rich defective layer, smoothing surfaces by chemo-mechanical polishing, bonding two substrates together via thermal treatments and separating the two bonded substrates at the hydrogen-rich defective layer.

Französisch

la présente invention concerne un procédé de réalisation d'une couche contrainte de si ou de sige sur un isolant sige relâché (74) (sgoi) comprenant la croissance d'une couche de si1-xgex aplanie (20) et une couche épitaxiale de si1-y gey sur un substrat semi-conducteur, l'implantation de l'hydrogène (70) dans ladite couche de si1-y gey (30) en vue de former une couche déficiente riche en hydrogène, l'aplanissement des surfaces par polissage chemomécanique, le collage de deux substrats au moyen de traitements thermiques et la séparation des deux substrats collés au niveau de la couche déficiente enrichie en hydrogène.

Letzte Aktualisierung: 2014-12-03
Nutzungshäufigkeit: 1
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Referenz: Anonym

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