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the power supply of claim 2 in which the latching comparator means includes a unijunction transistor operating as a silicon controlled rectifier.
alimentation électrique selon la revendication 2 dans laquelle les moyens de comparaison à verrouillage comprennent un transistor unijonction qui fonctionne comme un redresseur contrôlé en silicium.
the computer system (c) of claim 17, wherein said timer includes a programmable unijunction transistor.
le système d'ordinateur (c) de la revendication 17, dans lequel le temporisateur comprend un transistor unijonction programmable.
a fail-safe circuit according to claim 2 wherein said means for comparing comprises a unijunction transistor and said normally open gating means comprises a silicon controlled rectifier connected to said unijunction transistor.
circuit de sécurité intrinsèque suivant la revendication 2, dans lequel le moyen assurant la comparaison comprend un transistor unijonction et le moyen de blocage normalement ouvert comprend un tiristor connecté au transistor unijonction.
3/ 00 circuits for generating electric pulses; monostable, bistable or multistable circuits (h03k 4/00 takes precedence; for digital computers g06f 1/025) [5] 3/ 01 . details [3] 3/ 011 . . modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. voltage, temperature [6] 3/ 012 . . modifications of generator to improve response time or to decrease power consumption [6] 3/ 013 . . modifications of generator to prevent operation by noise or interference [3] 3/ 014 . . modifications of generator to ensure starting of oscillations [6] 3/ 015 . . modifications of generator to maintain energy constant [6] 3/ 017 . . adjustment of width or dutycycle of pulses (pulse width modulation h03k 7/08) [3] 3/ 02 . generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses (h03k 3/64 to h03k 3/84 take precedence) 3/ 021 . . by the use, as active elements, of more than one type of element or means, e.g. bimos, composite devices such as igbt [6] 3/ 023 . . by the use of differential amplifiers or comparators, with internal or external positive feedback [3] 3/ 0231 . . . astable circuits [6] 3/ 0232 . . . monostable circuits [6] 3/ 0233 . . . bistable circuits [6] 3/ 0234 . . . multistable circuits [6] 3/ 027 . . by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback [3] 3/ 03 . . . astable circuits [3] 3/ 033 . . . monostable circuits [3] 3/ 037 . . . bistable circuits [3] 3/ 038 . . . multistable circuits [6] 3/ 04 . . by the use, as active elements, of vacuum tubes only, with positive feedback (h03k 3/023, h03k 3/027 take precedence) [3] 3/ 05 . . . using means other than a transformer for feedback 3/ 06 . . . . using at least two tubes so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator 3/ 08 . . . . . astable 3/ 09 . . . . . . stabilisation of output [2] 3/ 10 . . . . . monostable 3/ 12 . . . . . bistable 3/ 13 . . . . . . bistables with hysteresis, e.g. schmitt trigger [6] 3/ 14 . . . . . multistable 3/ 16 . . . using a transformer for feedback, e.g. blocking oscillator with saturable core 3/ 22 . . . . specially adapted for amplitude comparison, i.e. multiar 3/ 26 . . by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback (h03k 3/023, h03k 3/027 take precedence) [2] 3/ 28 . . . using means other than a transformer for feedback 3/ 281 . . . . using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator 3/ 282 . . . . . astable 3/ 283 . . . . . . stabilisation of output [2] 3/ 284 . . . . . monostable 3/ 286 . . . . . bistable [3] 3/ 287 . . . . . . using additional transistors in the feedback circuit (h03k 3/289 takes precedence) [3] 3/ 288 . . . . . . using additional transistors in the input circuit (h03k 3/289 takes precedence) [3] 3/ 2885 . . . . . . . the input circuit having a differential configuration [5] 3/ 289 . . . . . . of the master-slave type [3] 3/ 2893 . . . . . . bistables with hysteresis, e.g. schmitt trigger [6] 3/ 2897 . . . . . . . with an input circuit of differential configuration [6] 3/ 29 . . . . . multistable 3/ 30 . . . using a transformer for feedback, e.g. blocking oscillator 3/ 313 . . by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential-jump barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic [3] 3/ 315 . . . the devices being tunnel diodes 3/ 33 . . by the use, as active elements, of semiconductor devices exhibiting hole storage or enhancement effect 3/ 335 . . by the use, as active elements, of semiconductor devices with more than two electrodes and exhibiting avalanche effect 3/ 35 . . by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two pn junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region (h03k 3/023, h03k 3/027 take precedence) [3] 3/ 351 . . . the devices being unijunction transistors (h03k 3/352 takes precedence) [3] 3/ 352 . . . the devices being thyristors [3] 3/ 3525 . . . . anode gate thyristors or programmable unijunction transistors [6] 3/ 353 . . by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback (h03k 3/023, h03k 3/027 take precedence) [2,3] 3/ 354 . . . astable circuits [3] 3/ 355 . . . monostable circuits [3] 3/ 356 . . . bistable circuits [3] 3/ 3562 . . . . of the master-slave type [6] 3/ 3565 . . . . bistables with hysteresis, e.g. schmitt trigger [6] 3/ 3568 . . . multistable circuits [6] 3/ 357 . . by the use, as active elements, of bulk negative resistance devices, e.g. gunn-effect devices [2] 3/ 36 . . by the use, as active elements, of semiconductors, not otherwise provided for [2] 3/ 37 . . by the use, as active elements, of gas-filled tubes, e.g. astable trigger circuits (h03k 3/55 takes precedence) 3/ 38 . . by the use, as active elements, of superconductive devices [3] 3/ 40 . . by the use, as active elements, of electrochemical cells 3/ 42 . . by the use, as active elements, of opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled 3/ 43 . . by the use, as active elements, of beam deflection tubes 3/ 45 . . by the use, as active elements, of non-linear magnetic or dielectric devices 3/ 47 . . . the devices being parametrons 3/ 49 . . . the devices being ferro-resonant 3/ 51 . . . the devices being multi-aperture magnetic cores, e.g. transfluxors 3/ 53 . . by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback (h03k 3/335 takes precedence) 3/ 537 . . . the switching device being a spark gap [3] 3/ 543 . . . the switching device being a vacuum tube [3] 3/ 55 . . . the switching device being a gas-filled tube having a control electrode 3/ 57 . . . the switching device being a semiconductor device 3/ 59 . . by the use of galvano-magnetic devices, e.g. hall-effect devices [2] 3/ 64 . generators producing trains of pulses, i.e. finite sequences of pulses 3/ 66 . . by interrupting the output of a generator 3/ 70 . . . time intervals between all adjacent pulses of one train being equal 3/ 72 . . with means for varying repetition rate of trains 3/ 78 . generating a single train of pulses having a predetermined pattern, e.g. a predetermined number 3/ 80 . generating trains of sinusoidal oscillations (by interrupting h03c, h04l) 3/ 84 . generating pulses having a predetermined statistical distribution of a parameter, e.g. random pulse generators [2] 3/ 86 . generating pulses by means of delay lines and not covered by the preceding subgroups [2]
3/ 00 circuits pour produire des impulsions électriques; circuits monostables, bistables ou multistables (h03k 4/00 a priorité; pour calculateurs numériques g06f 1/025) [5] 3/ 01 . détails [3] 3/ 011 . . modifications du générateur pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. tension, température [6] 3/ 012 . . modifications du générateur pour améliorer le temps de réponse ou pour diminuer la consommation d'énergie [6] 3/ 013 . . modifications du générateur en vue d'éviter l'action du bruit ou des interférences [3] 3/ 014 . . modifications du générateur pour assurer le démarrage des oscillations [6] 3/ 015 . . modifications du générateur pour maintenir une puissance constante [6] 3/ 017 . . réglage de la largeur ou du rapport durée période des impulsions (modulation des impulsions en largeur h03k 7/08) [3] 3/ 02 . générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions (h03k 3/64 à h03k 3/84 ont priorité) 3/ 021 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de plus d'un type d'éléments ou de moyens, p.ex. bimos, dispositifs composites tels que igbt [6] 3/ 023 . . par l'utilisation d'amplificateurs différentiels ou des comparateurs, avec réaction positive interne ou externe [3] 3/ 0231 . . . circuits astables [6] 3/ 0232 . . . circuits monostables [6] 3/ 0233 . . . circuits bistables [6] 3/ 0234 . . . circuits multistables [6] 3/ 027 . . par l'utilisation de circuits logiques, avec réaction positive interne ou externe [3] 3/ 03 . . . circuits astables [3] 3/ 033 . . . circuits monostables [3] 3/ 037 . . . circuits bistables [3] 3/ 038 . . . circuits multistables [6] 3/ 04 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de tubes à vide avec réaction positive (h03k 3/023, h03k 3/027 ont priorité) [3] 3/ 05 . . . utilisant un autre moyen de réaction qu'un transformateur 3/ 06 . . . . utilisant au moins deux tubes couplés de façon que l'entrée de chacun d'eux dérive de la sortie de l'autre, p.ex. multivibrateur 3/ 08 . . . . . astable 3/ 09 . . . . . . stabilisation de la grandeur de sortie [2] 3/ 10 . . . . . monostable 3/ 12 . . . . . bistable 3/ 13 . . . . . . bistables avec hystérésis, p.ex. déclencheur de schmitt [6] 3/ 14 . . . . . multistable 3/ 16 . . . utilisant un transformateur pour la réaction, p.ex. oscillateur bloqué avec noyau saturable 3/ 22 . . . . spécialement adaptés comme comparateurs d'amplitude, c. à d. multiar 3/ 26 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de transistors bipolaires avec réaction positive interne ou externe (h03k 3/023, h03k 3/027 ont priorité) [2] 3/ 28 . . . utilisant un moyen de réaction autre qu'un transformateur 3/ 281 . . . . utilisant au moins deux transistors couplés de façon que l'entrée de l'un dérive de la sortie de l'autre, p.ex. multivibrateur 3/ 282 . . . . . astable 3/ 283 . . . . . . stabilisation de la grandeur de sortie [2] 3/ 284 . . . . . monostable 3/ 286 . . . . . bistable [3] 3/ 287 . . . . . . utilisant des transistors additionnels dans le circuit de réaction (h03k 3/289 a priorité) [3] 3/ 288 . . . . . . utilisant des transistors additionnels dans le circuit d'entrée (h03k 3/289 a priorité) [3] 3/ 2885 . . . . . . . le circuit d'entrée ayant une configuration différentielle [5] 3/ 289 . . . . . . du type maître-esclave [3] 3/ 2893 . . . . . . bistables avec hystérésis, p.ex. déclencheur de schmitt [6] 3/ 2897 . . . . . . . avec un circuit d'entrée de configuration différentielle [6] 3/ 29 . . . . . multistable 3/ 30 . . . utilisant un transformateur pour la réaction, p.ex. oscillateurs bloqués 3/ 313 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs avec deux électrodes, une ou deux barrières de potentiel, et présentant une caractéristique de résistance négative [3] 3/ 315 . . . les dispositifs étant des diodes tunnel 3/ 33 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs présentant une accumulation de trou ou l'effet cumulatif 3/ 335 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs avec plus de deux électrodes et présentant l'effet d'avalanche 3/ 35 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs semi-conducteurs bipolaires comportant au moins trois jonctions pn, ou au moins quatre électrodes ou au moins deux électrodes connectées à la même région de conductivité (h03k 3/023, h03k 3/027 ont priorité) [3] 3/ 351 . . . les dispositifs étant des transistors unijonction (h03k 3/352 a priorité) [3] 3/ 352 . . . les dispositifs étant des thyristors [3] 3/ 3525 . . . . thyristors à gâchette d'anode ou transistors unijonction programmables [6] 3/ 353 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de transistors à effet de champ avec réaction positive interne ou externe (h03k 3/023, h03k 3/027 ont priorité) [2,3] 3/ 354 . . . circuits astables [3] 3/ 355 . . . circuits monostables [3] 3/ 356 . . . circuits bistables [3] 3/ 3562 . . . . du type maître-esclave [6] 3/ 3565 . . . . bistables avec hystérésis, p.ex. déclencheur de schmitt [6] 3/ 3568 . . . circuits multistables [6] 3/ 357 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de résistances négatives à effet de volume, p.ex. des dispositifs à effet gunn [2] 3/ 36 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs, non prévus ailleurs [2] 3/ 37 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de tubes à atmosphère gazeuse, p.ex. circuits déclencheurs astables (h03k 3/55 a priorité) 3/ 38 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs supraconducteurs [3] 3/ 40 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de cellules électrochimiques 3/ 42 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs opto-électroniques, c.à d. de dispositifs émetteurs de lumière et de dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement 3/ 43 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de tubes de déviation du faisceau 3/ 45 . . par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs magnétiques ou diélectriques non linéaires 3/ 47 . . . les dispositifs étant des paramétrons 3/ 49 . . . les dispositifs étant ferrorésonnants 3/ 51 . . . les dispositifs étant des noyaux magnétiques à plusieurs ouvertures, p.ex. transfluxors 3/ 53 . . par l'utilisation d'un élément accumulant de l'énergie déchargé dans une charge par un dispositif interrupteur commandé par un signal extérieur et ne comportant pas de réaction positive (h03k 3/335 a priorité) 3/ 537 . . . le dispositif de commutation étant un éclateur [3] 3/ 543 . . . le dispositif de commutation étant un tube à vide [3] 3/ 55 . . . le dispositif de commutation étant un tube à atmosphère gazeuse à électrode de commande 3/ 57 . . . le dispositif de commutation étant un dispositif à semi-conducteurs 3/ 59 . . par l'utilisation de dispositifs galvanomagnétiques, p.ex. des dispositifs à effet hall [2] 3/ 64 . générateurs produisant des trains d'impulsions, c. à d. des séquences d'impulsions limitées 3/ 66 . . par interruption du courant de sortie d'un générateur 3/ 70 . . . les intervalles de temps étant égaux entre toutes les impulsions voisines d'un train 3/ 72 . . avec moyens pour faire varier la fréquence de répétition des trains 3/ 78 . engendrant un train unique d'impulsions ayant une caractéristique prédéterminée, p.ex. un nombre prédéterminé 3/ 80 . engendrant des trains d'oscillations sinusoïdales (par interruption h03c, h04l) 3/ 84 . génération d'impulsions ayant une distribution statistique prédéterminée d'un paramètre, p.ex. générateurs d'impulsions aléatoires [2] 3/ 86 . génération d'impulsions au moyen de lignes à retard non couverte par les sous-groupes précédents [2]