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viz stal
viz stal
Letzte Aktualisierung: 2014-10-23
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ainsi, le lien entre viz stal et son fournisseur dépassait largement le cadre des simples transactions de vente.
denn die beziehung zwischen viz stal und seinem lieferanten war nicht allein auf den verkauf beschränkt und ging somit über eine reine handelsbeziehung hinaus.
la méthode de répartition utilisée par viz stal ne reflétait toutefois pas cette différence, ce qui donnait des résultats déraisonnables.
die aufteilungsmethode von viz stal trug diesem unterschied jedoch nicht rechnung, so dass sie zu unzuverlässigen ergebnissen führte.
il a été examiné si cet élément pouvait influencer le coût des intrants utilisés par viz stal et, partant, son coût de fabrication.
es wurde untersucht, ob sich diese tatsache auf die inputkosten von viz stal und folglich auch auf die fertigungskosten auswirken könnte.
dans des conditions de marché normales, viz stal aurait dû rechercher des financements sur le marché libre et aurait dû faire face à des frais financiers supplémentaires qui se seraient reflétés dans ses coûts.
unter normalen marktbedingungen hätte sich viz stal kapital auf dem freien markt beschaffen und zusätzliche finanzierungskosten tragen müssen, die sich in seinen kosten widerspiegeln sollten.
il est en outre observé que viz stal avait conclu avec son fournisseur de matières premières un accord à long terme, en vigueur pendant la période d'enquête.
außerdem hatte viz stal eine langfristige vereinbarung mit seinem rohstofflieferanten, die auch im uz in kraft war.
dispositif de mémoire à semi-conducteur comprenant : un circuit de bascule (1 ; 11) ; un commutateur (2 ; 12) placé entre le circuit de bascule et une paire de lignes de données (d,/d ; vix,viz) ; un circuit d'écriture (6,16) d'écriture de données dans le circuit de bascule via la commutateur ; et un moyen de décalage de potentiel (44) raccordé à la paire de lignes de données, pour convertir des potentiels de la paire de lignes de données en potentiels particuliers, le moyen de décalage de potentiel comprenant un premier et un second transistor (q73, q83) ; le premier transistor (q73) a une grille raccordée à la première ligne de donnée (vix), une source recevant une première tension d'alimentation (vss), et un drain fournissant un desdits potentiels particuliers (voz) obtenu en convertissant le potentiel de la seconde ligne de données (viz) ; le second transistor (q83) a une grille raccordée à la seconde ligne de données (viz), une source recevant une première tension d'alimentation (vss), et un autre drain fournissant un autre desdits potentiels particuliers (vox) obtenus en convertissant un potentiel de la première ligne de données (vix), caractérisé en ce que ledit moyen de potentiel de décalage (44) comprend : un premier circuit série ayant une première extrémité raccordée au drain du premier transistor (q73), et une seconde extrémité recevant une seconde tension d'alimentation (vcc) ; et un second circuit série ayant une première extrémité raccordée au drain du second transistor (q83), et une seconde extrémité recevant la seconde tension d'alimentation (vcc) ; le premier circuit série ayant des premier et second éléments de résistance (q71, q72) montés en série ; le second circuit série ayant des troisième et quatrième éléments de résistance (q81, q82) montés en série ; un noeud sur lequel les premier et second éléments de résistance sont montés en série étant raccordés à ladite seconde ligne de données (viz) ; et un noeud sur lequel les troisième et quatrième éléments de résistance sont montés en série étant raccordés à ladite première ligne de données (vix).
halbleiterspeichervorrichtung mit: einer flipflopschaltung (1; 11); einem schalter (2; 12), der zwischen der flipflopschaltung und einem paar von datenleitungen (d, /d; vix, viz) vorgesehen ist; einer schreibschaltung (6, 16), die daten über den schalter in die flipflopschaltung schreibt; und einem potentialverschiebungsmittel (44), das mit dem paar von datenleitungen verbunden ist, zum konvertieren von potentialen des paares von datenleitungen in besondere potentiale, welches potentialverschiebungsmittel einen ersten und einen zweiten transistor (q73, q83) umfaßt; welcher erste transistor (q73) ein gate hat, das mit der ersten datenleitung (vix) verbunden ist, eine source, die eine erste energiezufuhrspannung (vss) empfängt, und ein drain, das eines der besonderen potentiale (voz) ausgibt, das erhalten wird, indem das potential der zweiten datenleitung (viz) konvertiert wird; welcher zweite transistor (q83) ein gate hat, das mit der zweiten datenleitung (viz) verbunden ist, eine source, die die erste energiezufuhrspannung (vss) empfängt, und ein drain, das ein anderes der besonderen potentiale (vox) ausgibt, das erhalten wird, indem ein potential der ersten datenleitung (vix) konvertiert wird; dadurch gekennzeichnet, daß das potentialverschiebungsmittel (44) ferner umfaßt: eine erste serienschaltung, die ein erstes ende hat, das mit dem drain des ersten transistors (q73) verbunden ist, und ein zweites ende, das eine zweite energiezufuhrspannung (vcc) empfängt; und eine zweite serienschaltung, die ein erstes ende hat, das mit dem drain des zweiten transistors (q83) verbunden ist, und ein zweites ende, das die zweite energiezufuhrspannung (vcc) empfängt, welche erste serienschaltung erste und zweite widerstandselemente (q71, q72) hat, die seriell verbunden sind, welche zweite serienschaltung dritte und vierte widerstandselemente (q81, q82) hat, die seriell verbunden sind, wobei ein knoten, an dem die ersten und zweiten widerstandselemente seriell verbunden sind, mit der zweiten datenleitung (viz) verbunden ist und ein knoten, an dem die dritten und vierten widerstandselemente seriell verbunden sind, mit der ersten datenleitung (vix) verbunden ist.