Von professionellen Übersetzern, Unternehmen, Websites und kostenlos verfügbaren Übersetzungsdatenbanken.
kocaman bir tüp yetine yarı iletken ince bir katman halinde ve bir gama detektörü işlevi görüyor.
it's made not of a bulky tube, but of a thin layer of a semiconductor material that serves as the gamma detector.
tdk, 2005 yılında kaliforniya'da yaklaşık on yıl işletilen bir yarı iletken bölümündeki ortaklığını devretmiştir.
tdk operated a semiconductor division in california for about a decade, but divested it in 2005.
o günün yarı iletken teknolojisi kullanarak, intel mühendisleri çok etkin bir ilk uygulamaya tasarım çevirmek mümkün değildi.
using the semiconductor technology of its day, intel's engineers weren't able to translate the design into a very efficient first implementation.
bose, radyo dalgalarının tespiti için yarı iletken bağlantı kullanan ilk kişidir ve çeşitli sıradan mikrodalga bileşenlerini icat etmiştir.
bose was the first to use a semiconductor junction to detect radio waves, and he invented various now commonplace microwave components.
transistörlü amplifikatörlerde en yaygın kullanım bipolar transistörler (bjts) ve metal oksit yarı iletken alan etkili transistörlerdir.
many common active devices in transistor amplifiers are bipolar junction transistors (bjts) and metal oxide semiconductor field-effect transistors (mosfets).
1,3 µm ile işletilip ingaasp yarı iletken laser kullanan ikinci nesil ışıklifi iletişim, 1980 yılında ticari amaçla kullanılmak üzere ilk kez geliştirildi.
the second generation of fiber-optic communication was developed for commercial use in the early 1980s, operated at 1.3 µm, and used ingaasp semiconductor lasers.
1975 yılından itibaren başlayan bir dizi araştırma sonrasında 0,8 µm dalga boyu civarında işletilen ve gasa yarı iletken lazer kullanan ilk ticari ışıklifi iletişim cihazı geliştirildi.
after a period of research starting from 1975, the first commercial fiber-optic communications system was developed, which operated at a wavelength around 0.8 µm and used gaas semiconductor lasers.
bu sebepten dolayı, yarı iletken fabrikasyonu şirketleri yüksek derecede otomatikleştirilmiştir ve negatif basınçlı gaz şişelerinin güvenli iletim sistemlerini oluşturmuşlarıdır (sds).
for this reason, the semiconductor fabrication facilities are highly automated, and may feature negative pressure gas bottles safe delivery system (sds).
optik iletişimlerde kullanım için yarı iletken optik ileticiler optimum dalga boyu aralığında işlerken ve yüksek frekanslarda direkt olarak yönlendirilirken; verimli, güvenilir ve kompakt olarak tasarlanmalıdır.
for use in optical communications, semiconductor optical transmitters must be designed to be compact, efficient, and reliable, while operating in an optimal wavelength range, and directly modulated at high frequencies.
=== yarı iletkenlerde hall etkisi ===akım taşıyan bir yarı iletken manyetik alan içinde tutulduğunda, akım taşıyıcıları manyetik alana ve akım yönüne dik bir kuvvet etkisi altında kalır.
===hall effect in semiconductors===when a current-carrying semiconductor is kept in a magnetic field, the charge carriers of the semiconductor experience a force in a direction perpendicular to both the magnetic field and the current.
yarı iletken bir lazer ışığı kendiliğinden salımdan ziyade yüksek çıkış gücü (100 mw) kadar eş evreli ışığın doğasıyla ilgili diğer faydalarıyla sonuçlanan uyarılmış salınım yoluyla yayar.
a semiconductor laser emits light through stimulated emission rather than spontaneous emission, which results in high output power (~100 mw) as well as other benefits related to the nature of coherent light.
işıklifinde sıklıkla kullanılan yarı iletken lazer iletici sınıfı vcsel (vertical cavity surface emitting laser), fabry–perot ve dfb’yi içerir.
commonly used classes of semiconductor laser transmitters used in fiber optics include vcsel (vertical-cavity surface-emitting laser), fabry–pérot and dfb (distributed feed back).
* 2009, willard boyle ve george e. smith yarı iletken görüntüleme devresi (ccd sensörü) icat etmelerinden dolayı nobel fizik Ödülünü charles k. kao ile paylaştılar.
in 2009, willard boyle and george smith were awarded the nobel prize in physics for the invention and development of the charge-coupled device (ccd).