Usted buscó: halbleiterwafersubstrats (Alemán - Francés)

halbleitervorrichtung nach irgendeinem der ansprüche 1 bis 3, mit einem bipolaren starkstromtransistor (a') und einem bipolaren hochgeschwindigkeitstransistor (b'), die in einem gemeinsamen halbleitersubstrat ausgebildet sind: wobei der bipolare starkstromtransistor (a') besteht aus: dem gemeinsamen halbleitersubstrat, welches aus einem halbleiterwafersubstrat (1) und einer epitaxialen halbleiterschicht (3) besteht, die auf dem wafersubstrat (1) ausgebildet ist, wobei die epitaxiale schicht (3) als eine kollektorzone (3a) dient; einer basiszone (19a), die in der epitaxialen schicht (3) ausgebildet ist; einer emitterzone (8a), die in der basiszone (19a) ausgebildet ist und eine breite weite besitzt; einem einen fremdstoff enthaltenden schichtabschnitt (10a), welcher die oberfläche der emitterzone (8a) bedeckt und als eine fremdstoff-diffusionsquelle für die emitterzone (8a) gedient hat; und einer kollektorelektrode (7a), einer basiselektrode (13a) und einer emitterelektrode (12a), die auf der kollektorzone (3a) bzw. der basiszone (19a) bzw. des den fremdstoff enthaltenden schichtabschnitts (10a) gelegen sind; wobei der hochgeschwindigkeitstransistor (b') besteht aus: dem gemeinsamen halbleitersubstrat, welches aus dem wafersubstrat (1) und der epitaxialen schicht (3) besteht, die als eine andere kollektorzone (3b) dient; einer anderen basiszone (19b), die in der anderen kollektorzone (3b) ausgebildet ist und eine gleiche tiefe wie die tiefe der basiszone (19a) des starkstromtransistors (a') besitzt und eine fremdstoffkonzentration niedriger als die fremdstoffkonzentration der basiszone (19a) aufweist; einer anderen emitterzone (8b), die in der anderen basiszone (19b) ausgebildet ist und eine schmalere weite besitzt relativ zu der breiten emitterweite, und eine tiefe seichter oder geringer als die tiefe der basiszone (19b) besitzt; einem anderen einen fremdstoff enthaltenden schichtabschnitt (10b), der die oberfläche der anderen emitterzone (8b) bedeckt und als eine fremdstoff-diffusionsquelle für die andere emitterzone (8b) gedient hat; und einer kollektorelektrode (7b), einer basiselektrode (13b) und einer emitterelektrode (12b), die auf der anderen kollektorzone (3b) bzw. der anderen basiszone (19b) bzw. dem anderen einen fremdstoff enthaltenden schichtabschnitt (10b) gelegen sind.
dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 comprenant un transistor bipolaire pour intensités élevées (a') et un transistor bipolaire rapide (b') formés dans un substrat semi-conducteur commun : ledit transistor bipolaire pour intensités élevées (a') étant composé : du substrat semi-conducteur commun qui se compose d'un substrat de plaquette semi-conducteur (1) et d'une couche semi-conductrice épitaxiale (3) formée sur le substrat de plaquette (1), la couche épitaxiale (3) servant comme zone de collecteur (3a) ; d'une zone de base (19a) formée dans ladite couche épitaxiale (3) ; d'une zone d'émetteur (8a) formée dans ladite zone de base (19a) et ayant une grande largeur ; d'une partie de couche contenant une impureté (10a) couvrant la surface de ladite zone d'émetteur (8a), et ayant servi comme source de diffusion d'impureté pour la zone d'émetteur (8a) ; et d'une électrode de collecteur (7a), d'une électrode de base (13a) et d'une électrode d'émetteur (12a) se trouvant respectivement sur ladite zone de collecteur (3a), ladite zone de base (19) et ladite partie de couche contenant une impureté (10a) ; ledit transistor rapide (b') étant composé : dudit substrat semi-conducteur commun se composant de substrat de plaquette (1) et de la couche épitaxiale (3) servant comme autre zone de collecteur (3b) ; d'une autre zone de base (19b) formée dans l'autre zone de collecteur (3b) et ayant la même profondeur que la profondeur de ladite zone de base (19a) dudit transistor pour intensités élevées (a') et ayant une concentration d'impureté plus faible que la concentration d'impureté de ladite zone de base (19a) ; d'une autre zone d'émetteur (8b) formée dans ladite autre zone de base (19b) et ayant une largeur étroite, par rapport à ladite grande largeur d'émetteur, et une profondeur moins profonde que la profondeur de ladite zone de base (19b) ; d'une autre partie de couche contenant une impureté (10b) couvrant la surface de ladite autre zone d'émetteur (8b) et ayant servi comme source de diffusion d'impureté pour l'autre zone d'émetteur (8b) ; et d'une électrode de collecteur (7b), d'une électrode de base (13b) et d'une électrode d'émetteur (12b) se trouvant respectivement sur ladite autre zone de collecteur (13b), ladite autre zone de base (19b) et ladite autre partie de couche contenant une impureté (10b).