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bipolaaritransistori

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Finés

Inglés

Información

Finés

eristettyhilainen bipolaaritransistori

Inglés

insulated gate bipolar transistor

Última actualización: 2014-11-14
Frecuencia de uso: 6
Calidad:

Referencia: IATE

Finés

n-p-n-bipolaaritransistori

Inglés

n-p-n bipolar transistor

Última actualización: 2014-11-13
Frecuencia de uso: 3
Calidad:

Referencia: IATE

Finés

moniemitteri n-p-n-bipolaaritransistori

Inglés

multi-emitter n-p-n bipolar transistor

Última actualización: 2014-11-13
Frecuencia de uso: 3
Calidad:

Referencia: IATE

Finés

jossa on eristettyhilainen bipolaaritransistori- (igbt-) -siru ja diodisiru yhdessä tai useammassa johdinkehyksessä (lead frame)

Inglés

consisting of an igbt transistor chip and a diode chip on one or more lead frames,

Última actualización: 2014-11-21
Frecuencia de uso: 2
Calidad:

Referencia: IATE

Finés

staattinen muuttaja, joka koostuu tehonsäätimestä, jossa on eristehilaisia bipolaaritransistoreja (igbt), koteloitu, alanimikkeen 85165000 mikroaaltouunien valmistukseen tarkoitettu [1]

Inglés

static converter comprising a power switch with insulated-gate bipolar transistors (igbts), contained in a housing, for use in the manufacture of microwave ovens of subheading 85165000 [1]

Última actualización: 2014-11-21
Frecuencia de uso: 6
Calidad:

Referencia: IATE

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