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cellule de mémoire dram constituée d'un dispositif (c1, c2) à condensateur d'emmagasinage et d'un transistor (t) de sélection, qui sont prévus au moins en partie dans un corps (1) semiconducteur, dans laquelle le dispositif (c1, c2) à condensateur d'emmagasinage est constitué d'au moins deux condensateurs d'emmagasinage montés en parallèle l'un avec l'autre, dont l'un (c1) est disposé en tant que condensateur trench dans le corps (1) semiconducteur ayant un remplissage (6) de silicium polycristallin en tant que première électrode, l'autre condensateur (c2) d'emmagasinage étant prévu sous la forme d'un condensateur empilé sur le corps (1) semiconducteur dans la zone au-dessus dudit condensateur (c1) d'emmagasinage, et dans lequel - la deuxième électrode du condensateur (c1) trench est formée par une couche (3) conductrice disposée autour du trench, - l'autre condensateur (c2) d'emmagasinage est en liaison électrique avec ledit un condensateur (c1) d'emmagasinage par des chevilles (7, 12) métalliques dans des trous (7, 12) de contact ménagés dans des couches (8, 9) isolantes, la couche (3) étant reliée à l'électrode (10) supérieure du condensateur (c2) empilé par l'un des bouchons (7) métalliques.
dram-speicherzelle aus einer speicherkondensatoreinrichtung (c1, c2) und einem auswahltransistor (t), die wenigstens teilweise in einem halbleiterkörper (1) vorgesehen sind, bei der die speicherkondensatoreinrichtung (c1, c2) aus mindestens zwei parallel zueinander geschalteten speicherkondensatoren besteht, von denen einer (c1) als ein trench-kondensator im halbleiterkörper (1) mit einer polykristallinen siliziumfüllung (6) als erster elektrode angeordnet ist, wobei der andere speicherkondensator (c2) als ein stapelkondensator auf dem halbleiterkörper (1) im bereich oberhalb des einen speicherkondensators (c1) vorgesehen ist, und wobei die zweite elektrode des trench-kondensators (c1) durch eine um den trench (4) angeordnete leitende schicht (3) gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass - der andere speicherkondensator (c2) mit dem einen speicherkondensator (c1) über metallstöpsel (7, 12) in kontaktlöchern (7, 12) in isolierschichten (8, 9) in elektrischer verbindung steht, wobei die schicht (3) über einen der metallstöpsel (7) mit der oberen elektrode (10) des stapelkondensators (c2) verbunden ist.