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feldeffekttransistor, insbesondere doppelt diffundierter feldeffekttransistor, sowie herstellungsverfahren
transistor a effet de champ, notamment a double diffusion, et procede de fabrication associe
lateraler zweifach diffundierter fieldeffekttransistor mit einem isolierten gate und verfahren zur herstellung
transistor à effet de champ latéral, double diffusé à grille isolée et son procédé de fabrication
halbleiteranordnung mit diffundierter zone mit reduzierter länge und verfahren zur herstellung dieser zone.
dispositif semi-conducteur ayant une région diffusée à longueur réduite et procédé pour la fabrication de la région.
kurzkanal-flaheeprom-speicheranordnung mit doppel-diffundierter source und verfahren zur herstellung
element de memoire flash eeprom a canal court possedant une source a double diffusion et son procede de fabrication
bauelement nach anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das integrierte widerstandselement (14) ein diffundierter dotierungs-widerstand ist.
un composant selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'élément résistif intégré (14) est une résistance à dopant diffusé.