Vous avez cherché: festphasendiffusion (Allemand - Français)

verfahren nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das dotieren der schicht aus dem metallsilicid mit dem fremdatom des zweiten leitfähigkeitstyps durch festphasendiffusion erfolgt.
procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de dopage de l'impureté du second type de conductivité dans ladite couche en siliciure de métal est réalisée au moyen d'une diffusion en phase solide.

ein verfahren zum dotieren eines bereichs unter der oberfläche eines halbleitersubstrats mit einer verunreinigung zum ausbilden einer flachen Übergangszone, bestehend aus den folgenden schritten: abarbeiten jeder inerten schicht von der halbleiteroberfläche durch wärmebehandlung, beginnend mit einem hintergrunddruck unter 1 x 10 -4 pa bei einer temperatur über 700°c und einleiten von wasserstoffgas; aufbringen von verunreinigungsatomen aus einer verunreinigungsatome-enthaltenden gasförmigen verbindung, um eine die verunreinigungsatome enthaltende adsorptionssschicht auszubilden; und bewirken einer festphasendiffusion in den bereich unter verwenden der adsorptionsschicht als verunreinigungsdiffusionsquelle, und bewirken der aktivierung der verunreinigung durch glühen des halbleitersubstrats bei temperaturen über 700°c. ein verfahren gemäß anspruch 1, in dem das substrat aus silicium besteht und die adsorptionsschicht im wesentlichen aus bor gebildet wird.
méthode pour doper une région au-dessous d'une surface d'un substrat semi-conducteur à l'aide d'une impureté, pour former une jonction peu profonde, la méthode comprenant: l'enlèvement de tous films inertes de la surface du semi-conducteur, par traitement de chauffage démarant avec une pression ambiante inférieure à 1x10 -4 pa à une température supérieure à 700°c et en introduisant de l'hydrogène gazeux; l'application, à la surface du semi-conducteur, d'atomes d'un composé gazeux contenant des atomes de l'impureté pour former une couche d'adsorption contenant les atomes de l'impureté; et la réalisation d'une diffusion en phase solide pénétrant dans la région, en utilisant la couche d'adsorption comme source de diffusion de l'impureté et en effectuant une activation de l'impureté par le traitement de recuit du substrat semi-conducteur à des températures supérieures à 700°c. méthode selon la revendication 1, dans laquelle le substrat est en silicium et la couche d'adsorption est formée quasi totalement de bore.