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vorrichtung gemäß anspruch 29, wobei die erste bias-gestaltung fowler-nordheim-tunnelstrom erzeugt.
dispositif selon la revendication 29, dans lequel le premier agencement de polarisation induit un courant de franchissement par effet tunnel de fowler-nordheim.
speichersystem nach anspruch 1, wobei die programmiermittel zum programmieren der ausgewählten zellen und zum löschen mittels fowler-nordheim tunneln funktionieren.
système de mémoire selon la revendication 1, dans lequel le moyen de programmation fonctionne de façon à programmer les cellules sélectionnées et à effacer par effet tunnel de fowler-nordheim.
niederspannungs-eintransistor-flash-eeprom-zelle mit fowler-nordheim programmier- und löschung
cellule mémoire flash eeprom mono-transistor basse tension programmable et éffaçable selon le procédé fowler-nordheim
speicher nach anspruch 15, wobei die programmierspannungen, die an den zellen mit potentialfreiem gate angelegt werden, ein fowler-nordheim-tunneln an den zu programmierenden zellen verursachen.
mémoire selon la revendication 15, dans laquelle les tensions de programmation appliquées aux cellules à grille flottante provoquent un effet tunnel de fowler-nordheim dans des cellules devant être programmées.
im landkreis neustadt a. d. aisch-bad windsheim: burgbernheim, ergersheim, gallmersgarten, gollhofen, hemmersheim, ippesheim, markt bibart, markt nordheim, oberickelsheim, oberscheinfeld, simmershofen, sugenheim, uffenheim, weigenheim
im landkreis neustadt a.d. aisch-bad windsheim: burgbernheim, ergersheim, gallmersgarten, gollhofen, hemmersheim, ippesheim, markt bibart, markt nordheim, oberickelsheim, oberscheinfeld, simmershofen, sugenheim, uffenheim, weigenheim