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bssc; msc
bssc, msc

bio-sensitized solar cells (bssc)
cellules solaires bio-sensibilisees (bssc)

provide technical advice for the formulation of a legal framework for brazilian bssc.
fourniture de conseils techniques pour la formulation d'un cadre juridique pour la css brésilienne.

col'fousignan ; bssc ('ommandcr cf~b bagotville looks on .
a muins cl'une demi-heure de 1' ;itterrissa`~e, un c-l~ll vire vers ie sllll-est et descend a 17uuo piccls . plusictu~ cuntr+~lcurs ratlar ic guitlcnt vers su clestinatiun pcuclant quc i'cquipat ;e ;rticnd i'aulurisatiun tlc tlcsccnure a unc ;rltituilc plus bassc . cunf-unclanl un cltasseur tlc l ;r rnarinc avcc ic ('-i ~ i . un cuntrblcur radar autorise ic ('-i~l i ~ itasscr yc iu oou i ticcis a suuu "c ' i~iccls ~ i .'ec i ui it ;l~r dtt ('-1 ~ 1 ;t ~c'u s~c rc ~'c it t iun : "clcs c:e r t t e c lc iu 000 a suuo pieds" . c'e fttt sa dernicre transmissiun . 1'lus tarcl, nn repcr;t i'cpave tlatts tutc tigion montagncuse au nurcluuest dc la hasc, juste au-dcssus ile la cute 7uuu . ) 1 crsunnc ne saura jamais e .tactemcut puuryuui 1'cyuipal ;c s'est permis ilc survulcr un re~'i+~n aussi tlanrcrcuso avant ou penclant la clescente . l :n tout cas, c'esl cc yu'il a fait .

in an integrated heterojunction bipolar transistor (hbt) with minimized base-collector capacitance, a sub-collector region (11) is formed as a mesa on a substrate, a collector contact (21) is connected to the sub-collector mesa region, a lightly doped collector region (12) and a base region (13) extend from the mesa onto the substrate (10), and a base contact (23) and its via hole for interconnection are off the mesa, with minimal overlap with the sub-collector region (11). the latter may be termed a buried selective sub-collector (bssc) region. such transistors can be used as integrated switching devices and microwave devices, e.g., in wireless communications, satellite direct broadcast systems, automobile collision avoidance systems, global positioning systems, and other high-frequency applications.
dans un transistor bipolaire hétérojonction intégré (hbt) avec capacité minimale du collecteur de base, une couche de sous-collecteur (11) se forme comme une mesa sur un substrat, un contact de collecteur (21) est relié à la couche de mesa du sous-collecteur, une couche de collecteur légèrement dopée (12) et une couche de base (13) se prolongent de la mesa jusqu'au substrat (10) et jusqu'à un contact de base (23) et par son trou d'interconnexion se trouve hors de la mesa, avec un chevauchement minime de la couche du sous-collecteur (11). cette dernière peut être désignée comme une couche enterrée de sous-collecteur sélectif (bssc). de tels transistors peuvent être employés comme dispositifs de commutation intégrés et dispositifs d'ondes hertziennes, par exemples dans les communications sans fil, les systèmes de diffusion directe par satellite, les systèmes de prévention de collision automobile, les systèmes de positionnement global (gps) et d'autres applications basées sur la haute fréquence.