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* base msq before sharing of markets.
*avant le partage des marchés

nous sommes les guerriers, guerrier de msq.
nous sommes les guerriers, guerrier de msq.

method and structure for adhering msq material to liner oxide
procede et structure permettant de faire adherer un materiau de methyle silsesquioxane a un oxyde de revetement

plasma curing of msq-based porous low-k film materials
durcissement au plasma de matieres de film poreuses a faible k a base de msq

*positive msq was suspended for february, april, and june 2010.
* les ajustements positifs du qmm ont été suspendus pour février, avril et juin 2010.

to the states st1 to st7 correspond the respective values msq which are denoted beside the circles.
aux états st1 à st7 correspondent respectivement les valeurs msq qui sont notées à côté des cercles.

to each of these states corresponds a value of the signal msq which appears on the output of the machine.
a chacun de ces états correspond une valeur du signal msq qui apparait à la sortie de cette machine.

in an example embodiment, a method for adhering msq provides for a liner oxide on an aluminum alloy layer on a semiconductor substrate
selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple, un procédé permettant de faire adhérer un méthyle silsesquioxane (msq) consiste à déposer un oxyde de revêtement sur une couche d'alliage d'aluminium d'un substrat semi-conducteur

in an example embodiment, a method for adhering msq provides for a liner oxide on an aluminum alloy layer on a semiconductor substrate.
selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple, un procédé permettant de faire adhérer un méthyle silsesquioxane (msq) consiste à déposer un oxyde de revêtement sur une couche d'alliage d'aluminium d'un substrat semi-conducteur.

the market sharing quota is the national milk production target for industrial milk in canada.the canadian dairy commission makes a recommendation to the cmsmc on the msq.
le quota de mise en marché (qmm) estla cible de production nationale de lait de transformation. la commission canadienne du lait fait des recommandations au ccgal sur le qmm.

each year, the cmsmc sets the national industrial milk production target or market sharing quota (msq).
chaque année, le ccgal établit un niveau cible pour la production nationale de lait de transformation, ou quota de mise en marché (qmm).

this circuit makes it possible to route the signals present on the outputs qfba, qfbb to the disturbance circuit 30 as a function of the signals coming from a state machine 360 which produces a binary word msq of two bits.
ce circuit permet de diriger vers le circuit de perturbation 30 les signaux présents aux sorties qfba, qfbb en fonction des signaux issus d'une machine à états 360 qui fournit un mot binaire msq à deux éléments binaires.

a method for depositing a liner dielectric on a semiconductor substrate provides for sufficient adhesion of low dielectric constant spin-on materials among metal layers in sub-micron processes. in an example embodiment, a method for adhering msq provides for a liner oxide on an aluminum alloy layer on a semiconductor substrate. first the substrate is placed into a pecvd environment. a gas mixture of trimethylsilane and n2o is introduced into the pecvd environment at a trimethylsilane-to-n2o ratio of about 1:20 to 1:30. the gas mixture is reacted to deposit an oxide liner (220a) of a predetermined thickness. adjusting the gas mixture trimethylsilane-to-n2o ratio to about 1:3 to 1:7 over the course of about 5 to 20 seconds, and sustaining the reaction thereof, deposits a methyl doped oxide (220b).
l'invention concerne un procédé de dépôt de diélectrique de revêtement sur un substrat semi-conducteur permettant d'obtenir une adhérence suffisante entre des matériaux de dépôt par rotation à faible constance diélectrique et des couches d'alliages métalliques dans des processus de l'ordre du sous-micron. selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple, un procédé permettant de faire adhérer un méthyle silsesquioxane (msq) consiste à déposer un oxyde de revêtement sur une couche d'alliage d'aluminium d'un substrat semi-conducteur. ledit substrat est d'abord placé dans un environnement de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (pecvd). puis un mélange gazeux composé de triméthylsilane et de n2o est introduit dans l'environnement pecvd selon un rapport triméthylsilane/n2o d'environ 1/20 à 1/30. le mélange gazeux est ensuite mis à réagir afin de déposer un revêtement d'oxyde d'une épaisseur prédéterminée. l'invention concerne également le réglage du mélange gazeux de triméthylsilane/n2o selon un rapport de 1/3 à 1/7 pendant une durée d'environ 5 à 20 secondes, le maintien de la réaction dudit mélange, et le dépôt d'un oxyde dopé au méthyle.