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une partie fondamentale du capteur comprend du dioxyde de titane (tio2) ou du titanate de strontium (srtio3) dopé avec une faible quantité de nb, ta, as, sb, w ou la de façon à obtenir des caractéristiques semi-conductrices. sur cette partie, on forme par croissance épitaxiale, un oxyde d'eau de transition, à partir de dioxyde de vanadium (v, du trioxyde de vanadium (vo3), de dioxyde de chrome (cro2), d'un oxyde de pérovskite contenant du manganèse, du fer, du cobalt ou du nickel (abo3, où a représente une substance simple ou une solution solide constituée de y, un élément des terres rares, tl, pb, bi, ba, sr, ca ; et b représente mn, fe, co ou ni), d'un oxyde de cuivre (axcuoy, où a représente une substance simple ou une solution solide constituée de la, y, bi, tl, pb, pr, nd, ba, sr, ca) ou d'un dioxyde de ruthénium (ruo2).
a fundamental portion of the sensor comprises titanium dioxide (tio2) or strontium titanate (srtio3) doped with a small amount of nb, ta, as, sb, w or la so as to have n-type semiconductor characteristics, on which vanadium dioxide (vo2), divanadium trioxide (v2o3), chromium dioxide (cro2), a perovskite oxide containing manganese, iron, cobalt, or nickel (abo3: wherein a is a simple substance or a solid solution of y, a rare earth element, tl, pb, bi, ba, sr, ca; and b is mn, fe, co, or ni), a copper oxide (axcuoy: wherein a is a simple substance or a solid solution of la, y, bi, tl, pb, pr, nd, ba, sr, ca) or ruthenium dioxide (ruo2) is epitaxially grown as the transition water oxide.