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Informazioni

Tedesco

Elektronenstrahllithographiegerät.

Inglese

Electron lithography apparatus.

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Tedesco

Elektronenstrahllithographiegerät.

Inglese

Electron-beam lithographic apparatus.

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Tedesco

Polarisierungsweise der Dioden eines Elektronendetektors zur Verbesserung des Schreibens in einem Elektronenstrahllithographiegerät.

Inglese

Electron-detector diode biassing scheme for improved writing by an electron beam lithography machine.

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Tedesco

Ein Elektronenstrahllithographiegerät (10) mit einer Strahlsäule (12), das einen gesteuerten Elektronenstrahl (22) aufweist, der ein Schreiben eines Musters auf einem Substrat (16) ermöglicht, das unter der Strahlsäule (12) gelegen ist, und mit einer Strahlpositionslokalisierungsvorrichtung (50), die eine Elektronendetektorvorrichtung (52) umfaßt, die die Strahlposition durch Ansprechen auf zurückgestreute Elektronen lokalisiert, die durch den Elektronenbeschuß auf das Substrat (16) durch den Elektronenstrahl (22) erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlpositionslokalisierungsvorrichtung (50) weiter eine Vorspannungsvorrichtung für die Elektronendetektorvorrichtung umfaßt, die die Detektorvorrichtung (52) bezüglich des Substrats (16) positiv vorspannt, um Sekundärelektronen anzuziehen, um die von dem Detektor (52) in Erwiderung auf den Beschuß emittierten Sekundärelektronen zu verringern oder zu eliminieren, wodurch ein Ladungsaufbau auf dem Substrat (16), der den Strahl (22) ablenken und eine Verzerrung des Musters hervorrufen würde, reduziert oder eliminiert wird.

Inglese

An electron beam lithography machine (10) with a beam column (12) and having a controlled electron beam (22) capable of writing a pattern on a substrate (16) located beneath the beam column (12), and a beam position locating apparatus (50) comprising electron detector means (52) which locates the beam position by responding to backscattered electrons generated by the electron bombardment on said substrate (16) by said electron beam (22), characterised in that said beam position locating apparatus (50) further comprises a biasing means on said electron detector means positively biasing said detector means (52) with respect to said substrate (16) to attract secondary electrons to reduce or eliminate said secondary electrons emitted from said detector (52) in response to said bombardment thereby reducing or eliminating a charge buildup on said substrate (16) which would deflect said beam (22) and cause pattern distortion.

Ultimo aggiornamento 2014-12-05
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

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