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insulated-gate bipolare transistorer (igbt)
transístores bipolares de porta isolada (igbt)
最終更新： 2014-11-16
使用頻度： 1
品質：
højst tre elektriske udtag, der hver indeholder to effektafbrydere (enten mosfet (metal oxide semiconductor field-effect transistor) eller igbt (insulated gate bi-polar transistors)) og interne drev,
não mais de três saídas eléctricas em cada um com dois interruptores de energia [ou mosfet (metal oxide semiconductor field-effect transistor), ou igbt (insulated gate bi-polar transistors)], e drives internas, e
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