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検索ワード: enfour (フランス語 - 英語)

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情報

フランス語

En plus,on peut éviter les fautes qui résultent d'un enfour nement ou d'un défournement trop précoce des lingots.

英語

In addition, errors can be avoided which give rise to defects due to premature insertion or withdrawal of ingots.

最終更新: 2014-02-06
使用頻度: 1
品質:

フランス語

Pendant l'enfournement de la fonte, la masse de métal liquide et la teneur en C du bain métallique augmentent de manière linéaire en raison du débit d'enfour- nement, et à la fin de l'enfournement, la teneur en C atteint une valeur de 3% (la teneur en Si s'élève à 0,4%).

英語

During the charging with pig iron, the mass of molten metal and the carbon concentration in the metal bath increase linearly because of the charging rate, and at the end of the charging, the carbon concentration reaches a value of 3% (the silicon concentration amounts to 0.4%).

最終更新: 2014-12-03
使用頻度: 1
品質:

フランス語

La Commission devrait déterminer s’ilincombe aux agences nationales defaciliterl’accueil de participants étrangers enfour-nissant à d’autres agences nationales desinformationsconcer-nantles organisations d’accueil etles organismesintermédiaires dansleur propre pays.

英語

(c) The Commission should consider whethernationalagencies shouldfacilitate the placements offoreign participants by providing other national agencies withinformation about hosting andintermediary organisationsintheir own country.

最終更新: 2014-02-06
使用頻度: 1
品質:

フランス語

Cette invention concerne un dispositif de protection contre les surtensions, lequel présente des régions (38, 60) incrustées de petite superficie afin de réduire la capacité du dispositif. Les régions dopées (38, 60) sont formées soit dans un substrat semi-conducteur (34), soit dans une couche épitaxiale (82), puis une couche épitaxiale (40, 84) est formée par dessus de manière à enfouir les régions dopées (38, 60). Les petites caractéristiques des régions enfoues (38, 60) sont conservées par réduction du traitement à hautes températures et longue durée de la puce. Un émetteur (42, 86) est formé dans la couche épitaxiale (40, 84).

英語

A surge protection device with small-area buried regions (38, 60) to minimize the device capacitance. The doped regions (38, 60) are formed either in a semiconductor substrate (34), or in an epitaxial layer (82), and then an epitaxial layer (40, 84) is formed thereover to bury the doped regions (38, 60). The small features of the buried regions (38, 60) are maintained as such by minimizing high temperature and long duration processing of the chip. An emitter (42, 86) is formed in the epitaxial layer (40, 84).

最終更新: 2011-07-27
使用頻度: 1
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