検索ワード: komplementarnymi (ポーランド語 - スロバキア語)

-potrzebę utrzymania równowagi między dwoma komplementarnymi aspektami fundacji, tzn. warunkami życia i warunkami pracy,
-potrebu udržiavať rovnováhu medzi dvomi navzájom sa doplňujúcimi hľadiskami nadácie — t. j. životnými podmienkami a pracovnými podmienkami;

w 2000 r., gdy unia europejska zastosowała to podejście po raz pierwszy, tylko dwa państwa członkowskie dysponowały dwoma komplementarnymi dokumentami dotyczącymi polityki antynarkotykowej.
sú národné protidrogové politiky organizované pomocou dvoch doplňujúcich sa nástrojov: strategického rámca a akčného plánu (obr. 1). v roku 2000, keď európska únia prvýkrát použila tento prístup, mali dva doplňujúce sa dokumenty protidrogovej politiky len dva členské štáty.

(7) obecnym dochodzeniem objęty jest ten sam produkt, który objęty był dochodzeniem pierwotnym, tj. niektóre mikroukłady elektroniczne znane jako pamięci dram (pamięci dynamiczne o dostępie swobodnym), wszystkich typów, gęstości i odmian, także zmontowane, w postaci przetworzonych płytek półprzewodnikowych lub układów chipowych wykonane z zastosowaniem odmian technologii wytwarzania półprzewodników opartych na tlenkach metali (mos), wraz z komplementarnymi typami mos (cmos), o wszystkich gęstościach (wraz z jeszcze nieistniejącymi), niezależnie od szybkości dostępu, konfiguracji, obudowy lub obramowania itp., pochodzące z republiki korei. produkt objęty postępowaniem obejmuje również pamięci dram przedstawiane w postaci (standardowych) modułów pamięci lub (standardowych) kart pamięci, albo zagregowanych w inny sposób, pod warunkiem że ich głównym przeznaczeniem jest dostarczanie pamięci.
(7) príslušný výrobok, ktorého sa týka toto prešetrovanie, je rovnaký ako výrobok zahrnutý v pôvodnom prešetrovaní, t. j. niektoré mikroelektronické obvody známe ako dynamické pamäte s priamym prístupom (dram) všetkých typov, hustôt, druhov, bez ohľadu na to, či sú zmontované vo forme spracovaných doštičiek alebo čipov (foriem), vyrobených s využitím rôznych druhov technológie vytvárania polovodičovej štruktúry na základe oxidov kovov (mos) vrátane doplnkových typov mos (cmos), všetkých hustôt (vrátane budúcich hustôt), bez ohľadu na rýchlosť prístupu, konfiguráciu, balenie alebo rám atď., s pôvodom v kórejskej republike. príslušný výrobok zahŕňa aj dram prezentované v (štandardných) pamäťových moduloch alebo (štandardných) pamäťových kartách, alebo v niektorom inom druhu súhrnnej formy za predpokladu, že je ich hlavným účelom poskytovať pamäť.