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el producto afectado por la presente investigación es el mismo que el de la investigación original, a saber, determinados microcircuitos electrónicos conocidos como dram (dynamic random access memories, memorias dinámicas de acceso aleatorio) de todos los tipos, densidades y variedades, ensamblados tanto en forma de disco como de pastilla, fabricados utilizando variaciones de la tecnología del proceso para crear semiconductores de óxido metálico (metal oxide-semiconductors, mos), incluidos tipos de mos complementarios (cmos), de todas las densidades (incluidas densidades que todavía no existen) independientemente de su velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte, etc. originarios de la república de corea.
il prodotto in esame oggetto dell’inchiesta presente è lo stesso dell’inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici noti come dram (dynamic random access memories - memorie dinamiche ad accesso casuale), di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (mos), compresi tipi di mos complementari (cmos), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configurazione, dalla confezione o dal supporto, ecc., originari della repubblica di corea.