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halbleitervorrichtung nach anspruch 1, die einen durch den sourcebereich hindurchgeführten elektroden-kontaktdiffusionsbereich des ersten leitfähigkeitstyps aufweist.
dispositif à semi-conducteur selon la revendication 1, comprenant en outre une zone de diffusion en contact avec l'électrode de la première conductivité ayant pénétré dans ladite zone source.
最終更新： 2014-12-03
使用頻度： 1
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integrierte leistungsschaltung nach anspruch 1, wobei der n-kanal-feldeffekttransistor (m1) ferner einen p-leitenden kontaktdiffusionsbereich (12, 12') aufweist, der den seitlichen rand der zweiten p-leitenden wanne (6) begrenzt und mit der source des n-kanal-feldeffekttransistors (m1) verbunden ist.
un circuit de puissance intégré selon la revendication 1, dans lequel ledit transistor à effet de champ à canal n (m1) comprend en outre une région de diffusion de contact de type p (12, 12') limitant le bord latéral dudit second caisson de type p (6) et étant connectée à la source dudit transistor à effet de champ à canal n (m1).
最終更新： 2014-12-03
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