검색어: isolationszone (독일어 - 영어)

integrierte halbleiterschaltung mit isolationszone
integrated circuit semiconductor device having improved isolation region

halbleiteranordnung mit einer isolationszone.
semiconductor device provided with isolation region.

verfahren zur herstellung einer isolationszone.
method for forming an isolation region.

verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer isolationszone.
method of producing a semiconductor device comprising an isolation region.

integrierte schaltung mit einer isolationszone und mit einer substratelektrode.
isolated integrated circuit comprising a substrate electrode.

verfahren zur herstellung einer integrierten halbleiterschaltung mit einer isolationszone.
method for manufacturing a semiconductor integrated circuit comprising an isolating region.

verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer isolationszone und einer wanne.
method of manufacturing a semiconductor device comprising an isolation region and a well region.

halbleiteranordnung mit einer isolationszone mit einem isolationsgraben und verfahren zur herstellung derselben.
semiconductor device with a trench isolation region and method of manufacturing the same.

verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer tiefen isolationszone in einem halbleiter.
a method of manufacturing a semiconductor device for forming a deep field region in a semiconductor substrate.

isolationszone für halbleiteranordnungen aus iii-v-verbindungen und verfahren zu ihrer herstellung.
isolation region in a group iii-v semiconductor device and method of making the same.

verfahren zur herstellung eines pn-Übergangs mit niedriger fehlerdichte und formierung einer isolationszone in einem halbleitermaterial
method of low defect junction and isolation formation in semiconductor material

verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit zwischenverbindungen, die über einer halbleiterzone und über einer angrenzenden isolationszone angebracht sind.
method of manufacturing a semiconductor device having interconnections located both above a semiconductor region and above an isolation region adjoining it.