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diffusionsbarriereerhöhung in der metallisierungsstruktur für halbleiteranordnungsherstellung.
diffusion barrier enhancement in metallization structure for semiconductor device fabrication.
마지막 업데이트: 2014-11-28
사용 빈도: 2
품질:
mehrschichtige metallisierungsstruktur mit einem iva-metall
multilayer metallization structure comprising a group iva metal
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
programmierbare metallisierungsstruktur mit oberflÄchennaher verfestigung undherstellungsverfahren dafÜr
programmable sub-surface aggregating metallization structure and method of making same
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
metallisierungsstruktur auf einem fluorhaltigen dielektrikum und herstellungsverfahren dafür
a metallization structure on a fluorine-containing dielectric and a method for fabrication thereof
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
verfahren zur herstellung einer mehrlagigen metallisierungsstruktur für integrierte schaltungen
process for producing multilevel metallization in an integrated circuit
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
metallisierungsstruktur zur kontaktherstellung für eine halbleitervorrichtung und vorrichtung mit einer solchen struktur.
metallisation structure for making contacts with a semiconductor device, and device comprising such a structure.
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
verfahren zur herstellung einer integrierten schaltungsstruktur mit einer dicht mehrschichtigen metallisierungsstruktur.
method for producing an integrated circuit structure with a dense multilayer metallization pattern.
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
verfahren zum auffüllen von verbindungs- oder kontaktlöchern in einer mehrlagigen vlsi-metallisierungsstruktur.
method filling interlevel dielectric via or contact holes in multilevel vlsi metallization structures.
마지막 업데이트: 2014-11-28
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품질:
metallisierungsstruktur nach anspruch 5, wobei der me-gehalt der kupfer-me legierungsschicht (40) nicht mehr als 1 atomprozent beträgt.
a metallized structure as set forth in claim 4 wherein the me content of the copper-me alloy layer (40) is no more than 2 atomic percent.
마지막 업데이트: 2014-12-05
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품질: