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verfahren nach anspruch 2, bei dem das kornwachstum fortgesetzt wird, um die ecken zwischen den hauptflächen der vier hexagonalen bipyramiden zu schließen.
procédé selon la revendication 2, dans lequel la croissance des grains se poursuit jusqu'à rapprocher les coins entre les faces principales des quatre bipyramides hexagonales.
verfahren nach einem der ansprüche 1 bis 8, bei dem das kornwachstum verhindernde pulver aus synthetischen graphitpulvern, natürlichen graphitpulvern und graphitfasern ausgewählt ist.
procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la poudre à action d'inhibition de croissance des grains est choisie entre des poudres de graphite synthétique, des poudres de graphite naturel et des fibres de graphite.
es sei jedoch nach gewiesen worden, dass dies die ergebnisse nicht beeinflusst habe, da noch nie ein anormales kornwachstum während der wärmebehandlung festgestellt worden sei.
toutefois, il a été démontré que cela n'a pas affecté les résultats puisqu'on n'a jamais vérifié de grossissements anormaux du grain pendant le traitement thermique.
verfahren nach anspruch 1, bei dem das kornwachstum verhindernde pulver, bezogen auf das gewicht des gemischs, in einer menge zwischen etwa 1 und etwa 5 gew.prozent vorliegt.
procédé suivant la revendication 1, dans lequel la poudre à action d'inhibition de croissance des grains est présente en une quantité d'environ 1 à environ 5 % en poids, sur la base du poids du mélange.
verfahren gemäß anspruch 9, wobei die feinzerkleinerungs-, verfestigungs- und/oder verdichtungsschritte ein kornwachstum in den nanokristallinen teilchen oder dem produkt bewirken.
procédé selon la revendication 9, dans lequel les étapes de fragmentation, de consolidation et/ou de densification provoquent la croissance de grain dans les particules nanocristallines ou le produit.
beschichteter gegenstand mit hohem transmissionsgrad und niedrigem emissionsvermögen nach anspruch 3, weiter enthaltend h. eine zweite dielektrische antireflexbasisbeschichtung, abgeschieden auf der ersten primerbeschichtung, wobei die zweite basisbeschichtung einen kristallinen metall berührenden schichtteil und einen trägerbeschichtungsteil enthält, wobei der trägerbeschichtungsteil die erste primerbeschichtung berührt und wobei der trägerbeschichtungsteil ein material enthält, das anders ist als der kristalline metall berührende beschichtungsteil der zweiten basisbeschichtung; i. eine zweite metallreflexbeschichtung auf dem kristallinen metall berührenden beschichtungsteil der zweiten basisbeschichtung abgeschieden ist und ein bevorzugt orientiertes kornwachstum aufweist; j. eine zweite primerbeschichtung, die auf der zweiten metallreflexbeschichtung abgeschieden ist; und k. eine dielektrische antireflexbeschichtung, die auf der zweiten primerbeschichtung abgeschieden ist.
objet revêtu à haute transmittance et faible émissivité selon la revendication 3, comprenant en outre : h. un deuxième film de base diélectrique anti-réfléchissant déposé sur le premier film de fond, le deuxième film de base comprenant une partie de film cristallin de contact avec le métal et une partie de film de support, la partie de film de support étant en contact avec le premier film de fond, la partie de film de support étant constituée d'un matériau autre que la partie de film cristallin de contact avec le métal du deuxième film de base ; i. un deuxième film métallique réfléchissant déposé sur la partie de film cristallin de contact avec le métal du deuxième film de base, et dont les grains ont une croissance à orientation préférentielle ; j. un deuxième film de fond déposé sur le deuxième film métallique réfléchissant ; et k. un film diélectrique anti-réfléchissant déposé sur le deuxième film de fond.