검색어: stromversorgungspotential (독일어 - 프랑스어)

schaltung zum erfassen eines potentialanstiegs einer stromversorgung nach einem der vorhergehenden ansprüche, bei der das zweite potential das stromversorgungspotential ist.
circuit de détection d'augmentation de potentiel d'alimentation électrique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le second potentiel est le potentiel d'alimentation électrique.

schaltung zum erfassen eines potentialanstiegs einer stromversorgung nach anspruch 1 oder 2, bei der das erste potential das stromversorgungspotential (v cc ) ist.
circuit de détection d'augmentation de potentiel d'alimentation électrique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier potentiel est le potentiel d'alimentation électrique (v cc ).

schalteranordnung nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste vorbestimmte stromversorgungspotential die positive batteriespannung und das zweite vorbestimmte stromversorgungspotential die negative batteriespannung insbesondere das massepotential, ist.
montage de commutateurs suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le premier potentiel d'alimentation en courant prédéterminé est la tension positive de la batterie et le deuxième potentiel d'alimentation en courant prédéterminé est la tension négative de la batterie, notamment le potentiel de masse.

bustreiberschaltung mit positiver klemmung, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster differenzverstärker einen ersten npn-bipolartransistor (t1) umfaßt, dessen kollektor über eine erste impedanz (r1) mit einem positiven stromversorgungspotential (vcc) verbunden ist, dessen emitter über eine zweite impedanz (r4) mit einem massepotential verbunden ist und dessen basis mit einem klemmspannungseingang verbunden ist, wobei der erste differenzverstärker ferner einen zweiten npn-bipolartransistor (t2) umfaßt, dessen kollektor mit einem positiven stromversorgungspotential (vcc) verbunden ist, dessen emitter über die zweite impedanz mit dem massepotential verbunden ist und dessen basis mit einem ausgangsbus (aus) verbunden ist; der kollektor eines npn-bipolartransistor (t6) des ausgangstreibers mit dem ausgangsbus (aus) verbunden ist, sein emitter mit dem massepotential verbunden ist und seine basis mit einem ersten knoten verbunden ist; der kollektor eines ersten bipolartransistors (t5), der in einem zweiten differenzverstärker enthalten ist, mit dem ersten positiven stromversorgungspotential (vcc) verbunden ist, sein emitter mit dem genannten ersten knoten verbunden ist und über eine dritte impedanz mit dem massepotential verbunden ist und seine basis mit dem kollektor des ersten bipolartransistors (t1) im ersten differenzverstärker verbunden ist, wobei der zweite differenzverstärker ferner einen zweiten npn-bipolartransistor (t5') umfaßt, dessen kollektor mit dem positiven stromversorgungspotential (vcc) verbunden ist, dessen emitter über die dritte impedanz mit dem massepotential verbunden ist und dessen basis mit einer quelle (ein) für binäre spannungssignale verbunden ist; der erste differenzverstärker den ersten knoten des zweiten differenzverstärkers operativ regelt, um die leitfähigkeit des ausgangstreibers zu steuern, damit das potential des busses im wesentlichen auf den wert der klemmspannung begrenzt wird.
circuit d'attaque de bus à fixation de niveau positive caractérisé par un premier amplificateur différentiel comprenant un premier transistor bipolaire npn (t1) dont le collecteur est connecté, via une première impédance (r1), à un potentiel positif d'alimentation (vcc), dont l'émetteur est connecté, via une deuxième impédance (r4), à un potentiel de masse, et dont la base est connectée à une entrée de tension de fixation de niveau, ledit premier amplificateur différentiel comprenant un deuxième transistor bipolaire npn (t2) dont le collecteur est connecté au dit potentiel positif d'alimentation (vcc), dont l'émetteur est connecté, via ladite deuxième impédance, au dit potentiel de masse, et dont la base est connectée à un bus de sortie (out); un transistor bipolaire npn d'étage de sortie (t6) dont le collecteur est connecté au dit bus de sortie (out), dont l'émetteur est connecté au dit potentiel de masse, et dont la base est connectée à un premier noeud; un deuxième amplificateur différentiel qui comprend un premier transistor bipolaire npn (t5) dont le collecteur est couplé au dit premier potentiel positif d'alimentation (vcc), dont l'émetteur est connecté au dit premier noeud et couplé, via une troisième impédance, au dit potentiel de masse, et dont la base est couplée au dit collecteur du dit premier transistor bipolaire npn (t1) dans ledit premier amplificateur différentiel, ledit deuxième amplificateur différentiel comprenant, de plus, un deuxième transistor bipolaire npn (t5') dont le collecteur est couplé au dit potentiel positif d'alimentation (vcc), dont l'émetteur est couplé, via ladite troisième impédance, au dit potentiel de masse, et dont la base est connectée à une source de signal de tension binaire (in); ledit premier amplificateur différentiel contrôlant fonctionnellement ledit premier noeud du dit deuxième amplificateur différentiel pour régir la conductivité du dit étage de sortie pour fixer le niveau du potentiel du dit bus à environ la valeur de ladite tension de fixation de niveau.