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medición de la movilidad haynes-shockley
haynes-shockley mobility measurement

la región de ruptura no está modelada en la ecuación de diodo de shockley.
the reverse "breakdown region" is not modeled by the shockley diode equation.

en 1956 bardeen, brattain y shockley ganan el premio nobel por este invento.
in 1956 bardeen, brattain and shockley are awarded the nobel prize for this.

impulsados por shockley y thompson, cretzer disparó a los rehenes a una distancia muy corta.
prompted by shockley and thompson, cretzer shot the hostages at very close range.

aquí shockley entabló una amistad con arnold orville beckman quien inventó el ph-metro en 1934.
here shockley struck up a friendship with arnold orville beckman, who had invented the ph meter in 1934.

beckman acordó retomar los esfuerzos de shockley concernientes a esta área, bajo la sombrilla de esta compañía, beckman instruments.
beckman agreed to back shockley's efforts in this area, under the umbrella of his company, beckman instruments.

el laboratorio shockley de semiconductores abrió su comercio en un pequeño lote comercial en la cercana mountain view, california, en 1956.
the shockley semiconductor laboratory opened for business in a small commercial lot in nearby mountain view in 1956.

a diferencia de otros investigadores que utilizaban germanio como material semiconductor, shockley creía que el silicio era un mejor material para fabricar transistores.
unlike many other researchers who used germanium as the semiconductor material, shockley believed that silicon was the better material for making transistors.

shockley se había convencido de que el nuevo dispositivo sería tan importante como el transistor, y mantuvo todo el proyecto en secreto incluso dentro de la compañía.
shockley became convinced that the new device would be just as important as the transistor, and kept the entire project secret, even within the company.

==shockley vuelve a california==william shockley obtuvo su título de grado en caltech y luego se va al este para completar su phd en mit.
==shockley's return to california==william shockley had studied his undergraduate degree at caltech and moved east to complete his phd at mit.

== historia ==el transistor bipolar fue inventado en diciembre de 1947 en la bell telephone company por john bardeen y walter brattain bajo la dirección de william shockley.
==history==the bipolar point-contact transistor was invented in december 1947 at the bell telephone laboratories by john bardeen and walter brattain under the direction of william shockley.

== carrera ==sparks fue a trabajar en los laboratorios bell en donde john bardeen, walter brattain y william shockley estaban desarrollando el primer transistor.
==career==sparks went on to work at bell labs where john bardeen, walter brattain and william shockley were developing the first transistor.

este dispositivo fue desarrollado por el físico estadounidense william bradford shockley (1910-1989), tras abandonar los laboratorios bell y fundar shockley semiconductor.
the shockley diode (named after physicist william shockley) is a four layer semiconductor diode which was one of the first semiconductor devices invented.

aunque un origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el scr creado por william shockley (premio nobel de física en 1956) en 1950, el cual fue defendido y desarrollado en los laboratorios bell en 1956.
==history==the silicon controlled rectifier (scr) or thyristor proposed by william shockley in 1950 and championed by moll and others at bell labs was developed in 1956 by power engineers at general electric (g.e.

shockley se propuso mejorar el transistor con un diseño de tres elementos (hoy se le conoce como el diodo shockley) que obtendría éxito comercial, pero cuyo diseño era considerablemente más difícil de construir que el diseño convencional.
shockley intended to replace the current transistor with a new three-element design (today known as the shockley diode), but the design was considerably more difficult to build than the "simple" transistor.

"making silicon valley: innovation and the growth of high tech, 1930-1970" published by mit press, 2006.isbn 0-262-12281-2*shurkin, joel n.. "broken genius: the rise and fall of william shockley, creator of the electronic age "publisher palgrave macmillan, 2007 isbn 0-230-55192-0*tedlow, richard s. "giants of enterprise: seven business innovators and the empires they built" publisher harper collins, 2003 isbn 978-0-06-662036-7
"making silicon valley: innovation and the growth of high tech, 1930-1970" published by mit press, 2006.isbn 0262122812*shurkin, joel n.. "broken genius: the rise and fall of william shockley, creator of the electronic age "publisher palgrave macmillan, 2007 isbn 0-230-55192-0*tedlow, richard s. "giants of enterprise: seven business innovators and the empires they built" publisher harper collins, 2003 isbn 0-06-662036-8==further reading==*gaylord, mary m. welles.