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it comes in increments of ħ.

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* carter, a.

마지막 업데이트: 2016-03-03
사용 빈도: 1
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영어

quantum-size electronic devices comprise electrodes and at least one cluster separated from the said electrodes by a tunnelly transparent gap. the characteristic dimensions for elements of quantum-size devices are determined by the formula in the range 1 4 r0, wherein r0 = ħ/(meα2c), wherein ħ is the planck's constant, m¿e? is the electron mass, α = 1/137,036 is the fine structure constant, c is the light speed. the cluster may be made of a semiconductor material, conductor, superconductor, high-molecular substance or a sheath with a tunnelly transparent dielectric. the matured theory provides possibilities for designing logical devices operating in the mode of transfer and/or storing of several electrons at normal conditions and high temperatures. the operating regimes of the devices are determined. the invention provides basic condition for constructing of high-temperature superconducting elements and devices based thereon.

프랑스어

dispositifs électroniques quantiques, qui comportent des électrodes et au moins un amas séparé desdites électrodes par une enveloppe transparente à l'effet tunnel. les dimensions caractéristiques d'éléments de dispositifs quantiques sont déterminées par la formule 1/4 r0, dans laquelle r0=h/(meα2c), dans laquelle h est la constante de planck, m¿e? est la masse des électrons, α=1/137,036 est la constante de structure fine, et c est la vitesse de la lumière. ledit amas peut être constitué d'une matière semi-conductrice, conductrice, supraconductrice, à poids moléculaire élevé ou d'un fourreau transparent à l'effet tunnel. la théorie affinée fournit des possibilités permettant la conception de dispositifs logiques fonctionnant dans le mode de transfert et/ou de stockage de plusieurs électrons à des conditions normales et à des températures élevées. les régimes de fonctionnement des dispositifs sont déterminés. la présente invention fournit les conditions de base pour la construction d'éléments supraconducteurs à haute température et de dispositifs comportant lesdits éléments, ainsi que pour la transmission de signaux électriques sans perte d'énergie.

마지막 업데이트: 2011-07-27
사용 빈도: 1
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