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here again the model with the lowest metallicity shows up to be closer to the observations although significant disagreements still remain.
ici encore, le modèle de faible métallicité est plus proche des observations mais un désaccord significatif demeure.
metallicity, the proportion of stellar mass made up of elements heavier than helium, helps classify stars relative to the galactic population.
la métallicité, la proportion de la masse stellaire constituée d'éléments plus lourds que l'hélium, permet de classer les étoiles.
a great deal of this needed to happen before the "metallicity" of the galaxy would be high enough to allow formation of rocky terrestrial planets.
beaucoup de ceci devait arriver avant que la "metallicité" de la galaxie soit suffisamment élevée pour permettre la formation de planètes terrestres rocheuses.
===population i stars===population i, or metal-rich stars, are young stars with the highest metallicity out of all three populations.
=== population ii ===les étoiles pauvres en métaux sont appelées « "étoiles de population ii" ».
the present invention relates to a method of manufacturing a carbon nanotube transistor in which a carbon nanotube channel is formed between a source electrode and a drain electrode and a gate electrode is formed at one side of the carbon nanotube channel, the method comprising the steps of: (a) forming the carbon nanotube channel on a substrate; (b) electrically connecting the source electrode and the drain electrode to both ends of the carbon nanotube channel, respectively; and (c) applying a stress voltage across the source electrode and the drain electrode to remove metallicity of the carbon nanotube channel. according to the method of manufacturing a carbon nanotube transistor of the present invention, a metallic part can be selectively removed from a carbon nanotube which is used as a channel of a transistor and has metallic properties and semiconductor properties mixed with each other.
l'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à nanotube de carbone dans lequel un canal de nanotube de carbone est formé entre une électrode de source et une électrode de drain et dans lequel une électrode de grille est formée sur un côté du canal de nanotube de carbone, le procédé comprenant les étapes suivantes : (a) formation du canal de nanotube de carbone sur un substrat ; (b) connexion électrique de l'électrode de source et de l'électrode de drain aux deux extrémités du canal de nanotube de carbone, respectivement ; et (c) d'application d'une tension de contrainte aux bornes de l'électrode de source et de l'électrode de drain pour éliminer le caractère métallique du canal de nanotube de carbone. selon le procédé de fabrication d'un transistor à nanotube de carbone de la présente invention, une partie métallique peut être sélectivement éliminée d'un nanotube de carbone qui est utilisé comme canal d'un transistor et a des propriétés métalliques et des propriétés semi-conductrices mêlées les unes aux autres.