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dispositif a couche mince ferroelectrique remanente utilisant un semiconducteur ambipolaire organique et methode de traitement de ce dispositif
non-volatile ferroelectric thin film device using an organic ambipolar semiconductor and method for processing such a device
ce dispositif à mémoire ferroélectrique rémanente comprend une combinaison d'un polymère ferroélectrique organique avec un semiconducteur ambipolaire organique
a non-volatile ferroelectric memory device is proposed which comprises a combination of an organic ferroelectric polymer with an organic ambipolar semiconductor
ce dispositif à mémoire ferroélectrique rémanente comprend une combinaison d'un polymère ferroélectrique organique avec un semiconducteur ambipolaire organique.
a non-volatile ferroelectric memory device is proposed which comprises a combination of an organic ferroelectric polymer with an organic ambipolar semiconductor.
nous démontrons que l'interaction coulombienne entre les électrons et les trous est très importante et contribue à garder la capture ambipolaire pour des temps longs.
we show that coulomb interaction between electrons and holes is very efficient in keeping the capture ambipolar for a long time.
la couche électroluminescente inorganique renferme un matériau semi-conducteur inorganique ambipolaire et un nanocristal dispersé, comme centre de luminescence, dans le matériau semi-conducteur inorganique ambipolaire
the inorganic light-emitting layer contains an ambipolar inorganic semiconductor material and a nanocrystal dispersed, as a luminescence center, in the ambipolar inorganic semiconductor material
on conclut que la diffusion ambipolaire peut produire un coefficient de diffusion transverse assez important pour expliquer les taux de diffusion mesurés par bohm, burhop, massey et williams pour une décharge à arc dans l'argon.
it is concluded that ambipolar diffusion can produce a transverse diffusion coefficient large enough to account for the diffusion rates measured by bohm, burhop, massey, and williams in argon arc discharges.
on a trouvé que la constante de diffusion ambipolaire et la vitesse de recombinaison superficielle des porteurs hors d'équilibre sont comparables aux valeurs estimées sur la base d'une extrapolation des propriétés d'équilibre.
the ambipolar diffusion constant and the surface-recombination velocity of the nonequilibrium carriers are found to be comparable to estimated values based on extrapolation of equilibrium properties.