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∙2hcl) et de dithizone (diphénylthiocarbazone) pour la détermination microcytochimique des sites de localisation du zinc chez le saccharomyces cerevisiae hansen.
∙2hcl) and dithizone (diphenylthiocarbazone) was developed for microcytochemical determination of sites of zinc localization in saccharomyces cerevisiae hansen.

cette invention concerne un procédé (et une installation correspondante) servant à la purification de trichlorosilane et/ou de tétrachlorure de silicium et comprenant les étapes de traitement de trichlorosilane technique et/ou de tétrachlorure de silicium technique suivantes: mise en complexe des impuretés de bore (trichlorure bci3) et des autres impuretés mécaniques par addition de diphénylthiocarbazone et/ou de triphénylchlorométhane, avec formation de macromolécules complexes ayant un point d'ébullition élevé; première distillation en colonne des produits de l'étape de mise en complexe, dans laquelle les impuretés de bore mises en complexe, associées aux autres impuretés mécaniques, sont éliminées sous la forme de produits de fond; et seconde distillation en colonne des produits de dessus de la distillation précédente, dans laquelle du trichlorosilane électronique (plus le dichlorosilane éventuellement présent) et/ou du tétrachlorure de silicium sont obtenus sous la forme de produits de dessus et des chlorures de phosphore pci3 et des composés contenant du phosphore, des chlorures d'arsenic asci3 et des composés contenant de l'arsenic, des composés d'aluminium, des composés d'antimoine et en général tous les métaux et les composés de métalloïdes et les composés de carbosilane présents, ayant une certaine quantité résiduelle de trichlorosilane et/ou de tétrachlorure de silicium, sont obtenus sous la forme de produits de fond.
the invention concerns a process (and a corresponding plant) for the purification of trichlorosilane and/or silicon tetrachloride comprising the following steps of treating technical grade trichlorosilane and/or technical grade silicon tetrachloride: complexation of the boron impurities (trichloride bci3) and other metallic impurities by addition of diphenylthiocarbazone and/or triphenylchloromethane, with the formation of complex macromolecules having high boiling point, first column distillation of the complexation step products, wherein the complexed boron impurities, together with other metallic impurities are removed as bottoms, and second column distillation of the tops of the previous distillation, wherein electronic grade trichlorosilane (plus dichlorosilane possible present) and/or silicon tetrachloride are obtained as tops and phosphorus chlorides pci3 and phosphorus containing compounds, arsenic chlorides asci3 and arsenic containing compounds, aluminium compounds, antimony compounds and in general all the present metals and metalloids compounds and carbo-silanes compounds, having a certain residual amount of trichlorosilane and/or silicon tetrachloride, are obtained as bottoms.