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capteur d'images à semiconduceturs selon la revendication 1, dans lequel ledit substrat (1) est réalisé en verre.
a solid state image sensor according to claim 1, wherein said substrate (1) is made of glass.
마지막 업데이트: 2014-12-04
사용 빈도: 2
품질:
capteur d'images à semiconduceturs selon la revendication 1, dans lequel ladite couche d'électrodes de grille (5') est réalisée en oxyde d'étain dopé à l'indium, et ladite lumière d'entrée est introduite dans la région réceptrice de lumière par ladite couche d'électrodes de grille (5').
a solid state image sensor according to claim 1, wherein said gate electrode layer (5') is made of indium-tin-oxide, ito, layer, and said input light is introduced to said light receiving region through said gate electrode layer (5').
마지막 업데이트: 2014-12-04
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