전문 번역가, 번역 회사, 웹 페이지 및 자유롭게 사용할 수 있는 번역 저장소 등을 활용합니다.
procede de configuration, element de commutation et utilisation du procede de configuration en vue de configurer un reseau ethernet dote de liaisons optiques en definissant des ports logiques composes de ports pysiques bidirectionnels et unidirection
configuration method, switching element and use of configuration method for configuring an ethernet network with optical links by defining logical ports made up of bidirectional and unidirectional physical ports
c 30 b croissance des monocristaux (par hyper-pression, p.ex. pour la formation de diamants b01j 3/06); solidification unidirectionnelle des matÉriaux eutectiques ou dÉmixtion unidirection- nelle des matÉriaux eutectoÏdes; affinage des matÉriaux par fusion de zone (affinage par fusion de zone des métaux ou alliages c22b); production de matÉriaux polycristallins homogÈnes de structure dÉterminÉe (coulée de métaux, coulée d'autres substances par les mêmes procédés ou appareillages b22d; façonnage des matières plastiques b29; modification de la structure physique de métaux ou alliages c21d, c22f); monocristaux ou matÉriaux polycristallins homogÈnes de structure dÉterminÉe; post-traitement de monocristaux ou de matÉriaux polycristallins homogÈnes de structure dÉterminÉe (pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives h01l); appareillages À cet effet [3]
c 30 b single-crystal growth (by using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds b01j 3/06); unidirectional solidification of eutectic material or unidirectional demixing of eutectoid material; refining by zone-melting of material (zone-refining of metals or alloys c22b); production of a homogeneous polycrystalline material with defined structure (casting of metals, casting of other substances by the same processes or devices b22d; working of plastics b29; modifying the physical structure of metals or alloys c21d, c22f); single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure (for producing semiconductor devices or parts thereof h01l); apparatus therefor [3]
