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pendant l'effacement.
while executing the erase.
Laatste Update: 2011-07-27
Gebruiksfrequentie: 1
Kwaliteit:
l'appareil comporte sur le substrat une borne de polarisation inverse à laquelle on applique une tension de polarisation pendant l'effacement d'une cellule de mémoire flash eeprom
the apparatus has a back biasing connection on the substrate at which a biasing voltage is applied during erasure of the flash eeprom memory cell
l'appareil comporte sur le substrat une borne de polarisation inverse à laquelle on applique une tension de polarisation pendant l'effacement d'une cellule de mémoire flash eeprom.
the apparatus has a back biasing connection on the substrate at which a biasing voltage is applied during erasure of the flash eeprom memory cell.
cette façon de faire, application d'une tension de polarisation sur la borne de polarisation inverse, a pour effet de réduire le courant bande-à-bande s'établissant entre la région source et le substrat pendant l'effacement de la cellule de mémoire flash
the method of applying the biasing voltage to the back biasing connection during erasure of the flash eeprom memory cell reduces band-to-band current between the source region and the substrate during erasure of the flash memory cell